Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 1 » Статья стр. 109
<<<>>>
Низкотемпературное нанолегирование протонированных кристаллов LiNbO3 одновалентными ионами
Бородин Ю.В.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: uryborodin@tpu.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
PDF версия
В развиваемой нанокомпозиционной модели кристаллы расcматриваются как соподчиненная совокупность протонно выделенных структурных элементов, их блоков и разделяющих их протонсодержащих квантовых сверхрешеток с предпочтительным протеканием в них явлений переноса. Образование слоисто-подобных обратимых гексагональных структур сопровождается протонированием и формированием плотной сетки Н-связей, обеспечивающих нанокомпозиционные свойства. Нанолегирование ионами H+ происходит при обработке кристаллов и стекол как в расплавах, так и водных растворах солей Ag, Tl, Rb и Cs. Изотопный обмен H+≤ftrightarrowD+ и ионный обмен H+≤ftrightarrowM+ приводит к нанолегированию протонированных материалов ионами D+ и M+. Особенно наглядно это проявляется в обедненных Li неравновесных кристаллах LiNbO3 и LiTaO3. Низкотемпературное протонно-ионное нанолегирование по сверхрешеткам является принципиально новым подходом при изучении структуры и свойств крайне неравновесных материалов.
  1. Колесов В.А., Семенов А.Е., Черкасов Е.В. // Опт. и спектр. 1981. Т. 50. Вып. 5. С. 1004--1007
  2. Верещагин В.И., Сутулин С.Н., Сергеев А.Н. // Физика диэлектриков. Диэлектрики в экстремальных условиях. 1988. Т. 5. С. 163--164
  3. Павлов О.Г., Родичев И.И., Хасанов О.Л. Свойства малых частиц и островковых металлических пленок. Киев, 1985. С. 7--9
  4. Loni A., Keys R.W., De La Rue R.M. et al. // J. EE Proc. J. 1989. N 6. P. 297--300
  5. Loni A., De La Rue R.M., Winfield I.M. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 1. P. 64--67
  6. Gonzalez R., Clen Y., Abraham N.M. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 11. P. 1431--1439
  7. Forster A., Kapphan S., Wohlecke M.O. // Phys. Stat. Sol. B. 1987. Vol. 143. N 2. P. 755--764
  8. Сергеев А.Н., Швейкин Г.П., Сутулин С.Н. и др. Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1989. N 3. 54 с
  9. Сергеев А.Н., Бамбуров В.Г., Швейкин Г.П. Низкотемпературное протонное модифицирование оксидов в тонком слое. Свердловск: УрО АН СССР, 1989. 74 с
  10. Bates I.B., Wong I.C., Perkins R.A. // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 319. N 8. P. 4130--4139
  11. Bates I.B., Perkins R.A. // Phys. Rev. B.: Solid State. 1977. Vol. 16. N 8. P. 3713--3722
  12. Chen Y. // Phys. Rev. B.: Condens. Matter. 1987. Vol. 35. N 15. P. 8202--8206
  13. Park I.L., Jonsoles R. // J. Matter. Res. 1989. Vol. 4. N 1. P. 224--231
  14. Jackel J.L., Rico C.E. // Appl. Phys. Lett. L. 1982. Vol. 1. N 6. P. 508--510
  15. Rice C.E., Jackel I.L., Brown W.L. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 5. N 9. P. 4437--4440
  16. Bremer T., Hertal P., Celtshig S. et al. // Thin Solid Films. 1983. Vol. 175. P. 235--239
  17. Сергеев А.Н. Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. 1990. Вып. 4 (1428). С. 68
  18. Didenko А.N., Khasanov O.L., Ryabchikov A.I. Abstracts of Int. Conf. "Modification of properties of surface layers of non-semiconducting materials using particle beams" (MPSL) --- Summy, 1993. P. 442
  19. Сергеев А.Н., Бамбуров В.Г., Швейкин Г.П. и др. Приповерхностное протонно-ионное легирование оксидов. Свердловск: УрО АН СССР, 1990. 90 с
  20. Lagos M., Mahanty I., Slusarenko V. // Surface Sci. 1987. Vol. 191. N 1--2. P. 806--812
  21. Плеханов В.П., Шакалов Ф.Е., Сутулин С.Н. и др. Обзоры по электроной технике. Серия 6. Материалы. 1988. N 1. С. 62
  22. Коркишко Ю.Н., Ганьшин В.А. // ФТФ. 1988. Т. 58. N 4. С. 692--700
  23. Шакалов Ф.Е., Осадчев Л.А., Руднев С.В. и др. Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. 1991. N 5. 58 с
  24. Бородин Ю.В., Верещагин В.А. Протонно-ионное легирование оксидов в тонком слое. Деп. в ОНИИТЭХИМ. N 180-XII 91. Черкассы, 1991. С. 56
  25. Тюрин Ю.И., Борисов В.П., Гришин А.Н. и др. Водород в полупроводниках Деп. в ВИНИТИ 23.04.90. N 2144. В. 90. Томск, 1990. 39 с
  26. Skowronski M., Kromer R.E. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 11. P. 7825--7830
  27. Kobayashi T., Muto K., Kai J. et al. // J. of Magn. Res. 1979. Vol. 34. N 3. P. 459--466
  28. Уэллс А. Структурная неорганическая химия. М.: Мир, 1987. Т. 1. С. 191--192

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme