Вышедшие номера
Влияние толщины слоев TiOx/TiO2 на их мемристорные свойства
Емельянов А.В., Демин В.А., Антропов И.М., Целиков Г.И., Лаврухина З.В., Кашкаров П.К.
Поступила в редакцию: 14 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Исследовано влияние толщины слоев гетероструктуры TiOx/TiO2 на ее мемристорные свойства. Методом oже-спектроскопии определена зависимость показателя стехиометрии изготовленных слоев от их толщины. Зависимость отношения сопротивлений в высоко- и низкоомном состояниях Roff/Ron мемристорного элемента от толщины его слоев имеет немонотонный характер. Наибольшее значение Roff/Ron=200 получено при одинаковой толщине слоев TiOx и TiO2, равной 30 nm.