Эффект резкого (наносекундного) обрыва обратного тока с плотностью порядка 10³ - 10⁴ A/cm² в кремниевом диоде при переключении с прямого на обратное смещение (так называемый SOS-эффект) широко используется в наносекундной технике гигаваттных мощностей. Для детального исследования SOS-эффекта была создана специальная установка с малыми паразитными индуктивностями, позволяющая исследовать одиночные SOS-диоды с рабочей площадью 1-2 mm² в широком диапазоне плотностей тока. Проведенные исследования показали, в частности, что разработанная в Институте электрофизики УРО РАН численная модель SOS-эффекта хорошо описывает экспериментальные результаты. Показано также, что величина заряда, выводимого из диодной структуры обратным током, превышает заряд, введенный импульсом прямого тока, не более чем на 10%, что свидетельствует об относительно малой роли ионизационных процессов. Возможность проводить эксперименты на единичных образцах малой площади позволяет детально исследовать SOS-эффект и значительно облегчает работы по усовершенствованию конструкции SOS-диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.