Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2016, выпуск 2 » Статья стр. 78
<<<>>>
Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников
Солин Н.И., Ромашев Л.Н., Наумов С.В., Саранин А.А., Зотов А.В., Олянич Д.А., Котляр В.Г., Утас О.А.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
Email: solin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
PDF версия
Рассмотрены способы управления магниторезистивными параметрами магнитных металлических сверхрешеток, манганитов и магнитных полупроводников. Уменьшая толщину ферромагнитных слоев в сверхрешетках (например, слоев Fe в сверхрешетках Fe/Cr), можно формировать суперпарамагнитные кластерно-слоистые наноструктуры, магнитосопротивление которых слабо зависит от направления внешнего магнитного поля, что для практических приложений такого типа материалов весьма существенно. Создавая вакансии Mn и дополнительно отжигая манганиты лантана в атмосфере кислорода, можно увеличить их магнитосопротивление более чем в 104 раз. Изменяя толщину p-n-перехода в структуре из ферромагнитных полупроводников можно увеличить их магнитосопротивление на 2-3 порядка.
  1. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Pertroff F., Etienne P., Creuzet G., Friederich A., Chazelas J. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. P. 2472-2475
  2. Binasch G., Gru`nberg P., Saurenbach F., Zinn W. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 39. P. 4282
  3. Parkin S.S.P., More N., Roche K.P. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 64. P. 2304-2307
  4. Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833-858; Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. C. 484-486
  5. Shapira Y., Foner S., Reed T.B. // Phys. Rev. B. 1973. Vol. 8. Р. 2299-2315
  6. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. 432 c
  7. Schad R., Potter C.D., Belliёn P., Verbanck G., Moshchalkov V.V., Bruynseraede Y. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 25. P. 3500-3502
  8. Ustinov V.V., Romashev L.N., Milayev M.A., Korolev A.V., Krinitsina T.P., Burkhanov A.M. // JMMM. 2006. Vol. 300. P. 148-152
  9. Дровосеков А.Б., Крейнес Н. М., Холин Д.И., Королев А.В., Миляев М.А., Ромашев Л.Н., Устинов В.В. // Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 88. Вып. 2. С. 126-131
  10. Олянич Д.А., Чубенко Д.Н., Грузнев Д.В., Котляр В.Г., Устинов В.В., Солин Н.И., Зотов А.В., Саранин А.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 35. Вып. 3. С. 15-22
  11. Каган М.Ю., Кугель К.И. // УФН. 2001. 171. С. 577
  12. Dagotto E.// New J. Phys. 2005. Vol. 7. P. 67-95
  13. Tokura Y. // Rep. Prog. Phys. 2006. Vol. 69. P. 797-805
  14. Sheng P., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1972. Vol. 28. P. 34-37; Helman J.S., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1976. Vol. 37. P. 1429-1432
  15. Rodriguez-Martinez Lide M., Attfield J. Paul // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 60. Р. R15 622-15 625; Maignan A., Martin C., Van Tendeloo G., Hervieu M., Raveau B. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. Р. 15 214(4)
  16. Солин Н.И., Наумов С.В., Костромитина Н.В. Патент на изобретение N 2505485 C1 // Б.И. 2014. N 3
  17. Schiffer P., Ramirez.A P., Bao W., Cheong S.-W. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. Р. 3336(4)
  18. Солин Н.И., Наумов С.В. // ЖЭТФ. 2013. Т. 143. Вып. 1. С. 166-181
  19. Varma С.М. // Phys. Rev. B. 1996. 54. P. 7328
  20. Солин Н.И. // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т. 91. Вып. 12. С. 744-749; Солин Н.И. // ЖЭТФ. 2012. Т. 141. Вып. 1. С. 109-121
  21. Goldstein L., Gibart P., Selmi A. // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. Р. 1474-1476
  22. Солин Н.И., Анисимов А.Н., Самохвалов А.А., Гуревич А.Г. // ФТТ. 1983. Т. 25. Вып. 11. С. 3498-3500; Солин Н.И., Самохвалов А.А., Шумилов И.Ю. // ФТТ. 1988. Т. 30. Вып. 7. С. 2246-2248; ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 11. С. 2250-2252
  23. Busch G., Wachter P. // Phys. Condens. Mater. 1966. Vol. 5. Р. 232-237; Arai T., Wakaki M., Onari S. // J. Phys. Soc. Japan. 1973. Vol. 34. N 1. Р. 66-73
  24. Солин Н.И., Самохвалов А.А., Шумилов И.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 44. Вып. 10. С. 464-466; Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 15. С. 22-26; Ауслендер М.И., Самохвалов А.А., Солин Н.И., Шумилов И.Ю. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. Вып. 12. С. 223-233
  25. Смит Р. Полупроводники. М.: ИЛ, 1962. 468 c. ( Smith R.A. Semiconductors. Cambridge University Press, 1959.)
  26. Солин Н.И., Наумов С.В. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. Вып. 12. С. 885-890; Солин Н.И., Устинов В.В., Наумов С.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. Вып. 5. С. 864-870.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme