Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников

Солин Н.И., Ромашев Л.Н., Наумов С.В., Саранин А.А., Зотов А.В., Олянич Д.А., Котляр В.Г., Утас О.А.¹

¹Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch, Russian Academy of Sciences, Vladivostok, Russia

Email: solin@imp.uran.ru

Поступила в редакцию: 23 октября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

PDF версия

Рассмотрены способы управления магниторезистивными параметрами магнитных металлических сверхрешеток, манганитов и магнитных полупроводников. Уменьшая толщину ферромагнитных слоев в сверхрешетках (например, слоев Fe в сверхрешетках Fe/Cr), можно формировать суперпарамагнитные кластерно-слоистые наноструктуры, магнитосопротивление которых слабо зависит от направления внешнего магнитного поля, что для практических приложений такого типа материалов весьма существенно. Создавая вакансии Mn и дополнительно отжигая манганиты лантана в атмосфере кислорода, можно увеличить их магнитосопротивление более чем в 10⁴ раз. Изменяя толщину p-n-перехода в структуре из ферромагнитных полупроводников можно увеличить их магнитосопротивление на 2-3 порядка.

Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Pertroff F., Etienne P., Creuzet G., Friederich A., Chazelas J. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. P. 2472-2475
Binasch G., Gru`nberg P., Saurenbach F., Zinn W. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 39. P. 4282
Parkin S.S.P., More N., Roche K.P. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 64. P. 2304-2307
Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833-858; Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. C. 484-486
Shapira Y., Foner S., Reed T.B. // Phys. Rev. B. 1973. Vol. 8. Р. 2299-2315
Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. 432 c
Schad R., Potter C.D., Belliёn P., Verbanck G., Moshchalkov V.V., Bruynseraede Y. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 25. P. 3500-3502
Ustinov V.V., Romashev L.N., Milayev M.A., Korolev A.V., Krinitsina T.P., Burkhanov A.M. // JMMM. 2006. Vol. 300. P. 148-152
Дровосеков А.Б., Крейнес Н. М., Холин Д.И., Королев А.В., Миляев М.А., Ромашев Л.Н., Устинов В.В. // Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 88. Вып. 2. С. 126-131
Олянич Д.А., Чубенко Д.Н., Грузнев Д.В., Котляр В.Г., Устинов В.В., Солин Н.И., Зотов А.В., Саранин А.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 35. Вып. 3. С. 15-22
Каган М.Ю., Кугель К.И. // УФН. 2001. 171. С. 577
Dagotto E.// New J. Phys. 2005. Vol. 7. P. 67-95
Tokura Y. // Rep. Prog. Phys. 2006. Vol. 69. P. 797-805
Sheng P., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1972. Vol. 28. P. 34-37; Helman J.S., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1976. Vol. 37. P. 1429-1432
Rodriguez-Martinez Lide M., Attfield J. Paul // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 60. Р. R15 622-15 625; Maignan A., Martin C., Van Tendeloo G., Hervieu M., Raveau B. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. Р. 15 214(4)
Солин Н.И., Наумов С.В., Костромитина Н.В. Патент на изобретение N 2505485 C1 // Б.И. 2014. N 3
Schiffer P., Ramirez.A P., Bao W., Cheong S.-W. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. Р. 3336(4)
Солин Н.И., Наумов С.В. // ЖЭТФ. 2013. Т. 143. Вып. 1. С. 166-181
Varma С.М. // Phys. Rev. B. 1996. 54. P. 7328
Солин Н.И. // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т. 91. Вып. 12. С. 744-749; Солин Н.И. // ЖЭТФ. 2012. Т. 141. Вып. 1. С. 109-121
Goldstein L., Gibart P., Selmi A. // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. Р. 1474-1476
Солин Н.И., Анисимов А.Н., Самохвалов А.А., Гуревич А.Г. // ФТТ. 1983. Т. 25. Вып. 11. С. 3498-3500; Солин Н.И., Самохвалов А.А., Шумилов И.Ю. // ФТТ. 1988. Т. 30. Вып. 7. С. 2246-2248; ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 11. С. 2250-2252
Busch G., Wachter P. // Phys. Condens. Mater. 1966. Vol. 5. Р. 232-237; Arai T., Wakaki M., Onari S. // J. Phys. Soc. Japan. 1973. Vol. 34. N 1. Р. 66-73
Солин Н.И., Самохвалов А.А., Шумилов И.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 44. Вып. 10. С. 464-466; Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 15. С. 22-26; Ауслендер М.И., Самохвалов А.А., Солин Н.И., Шумилов И.Ю. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. Вып. 12. С. 223-233
Смит Р. Полупроводники. М.: ИЛ, 1962. 468 c. ( Smith R.A. Semiconductors. Cambridge University Press, 1959.)
Солин Н.И., Наумов С.В. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. Вып. 12. С. 885-890; Солин Н.И., Устинов В.В., Наумов С.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. Вып. 5. С. 864-870.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель