Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотостимуляция проводимости и электронные свойства автоэмиссионных наноуглеродных покрытий на кремнии
Архипов А.В.
1, Габдуллин П.Г.
1, Гордеев С.К.
2, Журкин А.М.
1, Квашенкина О.Е.
1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Центральный научно-исследовательский институт материалов, Санкт-Петербург, Россия
2Центральный научно-исследовательский институт материалов, Санкт-Петербург, Россия
Email: Arkhipov@rphf.spbstu.ru, pavel-gabdullin@yandex.ru, gordeevsk@mail.ru, alezhu@inbox.ru, kvol.spbspu@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Исследована электронная структура островковых углеродных пленок на кремнии, демонстрирующих способность к низковольтной полевой электронной эмиссии - при средней напряженности электрического поля от сотен V/mm. Методом туннельной спектроскопии показано, что островки таких покрытий характеризуются сплошным спектром разрешенных делокализованных состояний вблизи уровня Ферми, т. е. содержат углерод в sp2-состоянии. Обнаружено явление фотопроводимости изучаемых покрытий. На основании исследования его токовых и спектральных характеристик показано, что островки отделены друг от друга туннельными барьерами, а от подложки - барьером Шоттки.
- Xu N.S., Ejaz Huq S. // Materials Science and Engineering R: Reports. 2005. Vol. 48. N 2--5. P. 47--189
- Railkar T.A., Kenq W.P., Windischmann H., Malshe A.P., Neseem H.A., Devidson J.L., Brown W.D. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2000. Vol. 25. N 3. P. 163--277
- Carey J.D. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2003. Vol. 361. P. 2891--2907
- Fursey G.N. Field emission in vacuum microelectronics. NY: Kluwer Academic-Plenum Publishers. 2005. P. 205
- Gulyaev Yu.V., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Saveliev S.G. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 215. N 1--4. P. 141--148
- Дюбуа Б.Ч., Королев А.Н. // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. 2011. N 1 (508). С. 5--24
- Obraztsov A.N. // Nanoengineered Nanofibrous Materialas, Kluwer Acad. Publ., the Netherlands. 2004. P. 329--339
- Krivchenko V.A., Pilevsky A.A., Rakhimov A.T., Seleznev B.V., Suetin N.V., Timofeyev M.A., Bespalov A.V., Golikova O.L. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. N 1. P. 014 315
- Obraztsov A.N., Kleshch V.I., Smolnikovam R.A. // Beilstain J. Nanotechnol, 2013. Vol. 4. P. 493--500
- Kleshch V.I., Smolnikova E.A., Orekhov A.S., Kalvas Taneli, Tarvainen Olli, Kauppinen Janne, Nuottajarvi Antti, Koivisto Nannu, Janhunen Pekka, Obraztsov A.N. // Carbon. 2015. Vol. 81. P. 132--136
- Бугаев А.С., Ерошкин П.А., Романько В.А., Шешин Е.П. // УФН. 2013. Т. 183. С. 727--740
- Ерошкин П.А., Шешин Е.П. // Нано- и микросистемная техника. 2014. N 1. С. 42--44
- Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 11. С. 91--98
- Елецкий А.В. // УФН, 2010. Т. 180, N 9. С. 897--930
- Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Вуль А.Я. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 7. С. 123--126
- Reich K.V., Eidelman E.D. // EPL (Europhysics Letters). 2009. Vol. 85. N 4. P. 47 007
- Frolov V.D., Konov V.I., Pimenov S.M., Kuzkin V.I. // Appl. Phys. A. 2004. Vol. 78. P. 21--23
- Захидов Ал.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Ляшенко Д.А. // ЖЭТФ. 2005. Т. 127. Вып. 1. С. 100--106
- Kleshch V.I., Vasilieva E.A., Lyashenko S.A., Obronov I.V., Turnina A.V., Obraztsov A.N. // Phys. Stat. Sol. 2011. Vol. 248. N 11. P. 2623--2626
- Баскин Л.М., Нейттаанмяки П., Пламеневский Б.А. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 12. С. 86--89
- Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Kuznetsov V.L., Gusel'nikov A.V., Chuvilin A.L. // Applied Physics A: Materials Science \& Processing. 2005. N 2. P. 393-398
- Яфаров Р.К. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 1. С. 42--48
- Лобанов В.М. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 11. С. 92--96
- Forbes R.G. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. N 6. P. 779--808
- Carey J.D., Forrest R.D., Poa C.H., Silva S.R.P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. N 4. P. 1633--1639
- Gupta S., Morell G., Weiner B.R. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 12. P. 8314--8320
- Silva S.R.P., Amaratunga G.A.J., Okano K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 557--561
- Zhirnov V.V., Shenderova O.A., Jaeger D.L., Tyler T., Areshkin D.A., Brenner D.W., Hren J.J. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 4. С. 641--645
- A.V. Arkhipov, P.G. Gabdullin, S.I. Krel, M.V. Mishin, A.L. Shakhmin, S.K. Gordeev, S.B. Korchagina S.B. // Fulleren. Nanotub. Carbon Nanostructur. 2012. Vol. 20. N 4--7. P. 468--472
- Архипов А.В., Гнучев Н.М., Крель С.И. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. N 4 (158). С. 98--103
- Архипов А.В., Габдуллин П.Г., Гнучев Н.М., Емельянов А.Ю., Крель С.И. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 23. С. 58--66
- Yi-Chun Chen, Hsiu-Fung Cheng, Yun-Shuo Hsieh, You-Ming Tsau // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. N 12. P. 7739--7742
- Hagmann M.J. // Proc. SPIE. 2004. Vol. 5352. P. 372--381
- Guiset P., Combrie S., De Rossi A., Carras M., Schnell J.P., P. Legagneux P. // Proc. SPIE. 2008. Vol. 7037. P. 70370Q
- Dispenza M., Brunetti F., Cojocaru C.-S., de Rossi A., Di Carlo A., Dolfi D., Durand A., A.M. Fiorello, Gohier A., Guiset P., Kotiranta M., Krozer V., Legagneux P., Marchesin R., Megtert S., Bouamrane F., Mineo M., Paoloni C., Pham K., Schnell J.P., Secchi A., Tamburri E., Terranova M.L., Ulisse G., Zhurbenko V. // Proc. SPIE. 2010. Vol. 7837. P. 783 706
- Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 7. С. 8--15
- Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 11. С. 1414--1418
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981
- Корсунский М.И. Аномальная фотопроводимость. М.: Наука, 1972. 192 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 455 с
- Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование наносекундных импульсов высокого напряжения. М.: Энергия, 1970. 155 с
- Александров О.В., Дусь А.И. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1400--14006
- Иоссель Ю.Я., Кочанов Э.С., Струнский М.Г. Расчет электрической емкости. Л.: Энергоиздат, 1981. 288 с
- Latham R.V. // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1988. Vol. 23. N 1. P. 9--16
- Ilie A., Hart A., Flewitt A.J., Robertson J., Milne W.I. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 10. P. 6002--6010
- Kishore Uppireddi, WeinerB.R., Morell G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 10. P. 104 315
- Koh A.T.T., Foong Y.M., Yu J., Chua D.H.C., Wee A.T.S., Kudo Y., Okano K. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. N 3. P. 034 903
- Dideykin A.T., Eidelman E.D., Vul A.Ya. // Sol. St. Commun. 2003. Т. 126. N 9. С. 495 -498
- Eidelman E.D., Vul' A.Ya. // J. Phys.. Condensed Matter. 2007. Vol. 19(7). P. 266 210--266 223
- Рейх К.В., Эйдельман Е.Д. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 8. C. 1618--1620
- Мейлахс А.П., Эйдельман Е.Д. // Письма ЖЭТФ. 2014. Т. 100. N 2. С. 89--93
- Wei X.L. Golberg D., Chen Q., Bando Y.. Peng L.M. // Nano Lett. 2011. Vol. 11. N 2. P. 734--739
- Wei Xianlong, Bando Yoshio, Golberg D. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. N 1. P. 705--711
- Cui J.B., Ristein J., Ley L. // Phys. Rev. 1999. Vol. 60. N 23. P. 16 135--16 142
- Robertson J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 659--665
- Соминский Г.Г., Сезонов В.Е., Саксеев Д.А., Тумарева Т.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. N 6. С. 104--108
- Nose Kenji, Fujita Ryuhei, Kamiko Masao, Mitsuda Yoshitaka // J. Vac. Sci. Technol. 2012. Vol. 30. P. 011 204
- Geis M.W., Efremow N.N., Krohn K.E., Twichell J.C., Lyszczarz T.M., Kalish R., Greer J.A., Tabat M.D. // Nature. 1998. Vol. 393. P. 431--435
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
- Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Дидейкин А.Т., Вуль Ф.Я. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 2. С. 119--122.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
