Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование металлических наноостровков при электронном облучении тонкой пленки золота на стекле

DOI: 10.21883/JTF.2017.02.44143.1784

Комиссаренко Ф.Э.^1,2, Жуков М.В.^1,3, Мухин И.С.^1,2, Голубок А.О.^1,3, Сидоров А.И.¹

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: sidorov@oi.ifmo.ru

Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально показано, что локальное облучение тонкой пленки золота на поверхности стекла электронами с энергией 5 keV привело к увеличению толщины пленки в облученной зоне. При локальном облучении пленки электронами с энергией 25 keV произошло уменьшение толщины пленки в облученной зоне и появление золотого кольца по периметру этой зоны. При высокой плотности электронного тока утолщения пленки приобрели форму фрактальных наноструктур. Причиной наблюдаемых эффектов явились формирование области отрицательного заряда на поверхности стекла или в его объеме и миграция положительных ионов золота в эту область. DOI: 10.21883/JTF.2017.02.44143.1784

Zhou W., Mandia J.D., Griffiths M., Bialiayeu A., Zhang Y., Gordon P.G., Barry S.T., Albert J. // Opt. Expres. 2013. Vol. 21. P. 245--255
Tagad C., Dugasani S., Aiyer R., Park S., Kulkarni A., Sabharwal S. // Sens. Actuator. B. 2013. Vol. 183. P. 144--149
Nashchekin A.V., Nevedomskiy V.N., Obraztsov P.A., Stepanenko O.V., Sidorov A.I., Usov O.A., Turoverov K.K., Konnikov S.G. // Proc. SPIE. 2012. Vol. 8427. P. 842739--1-6
Choi S., Dickson R.M., Yu J. // Chem. Soc. Rev. 2012. Vol. 41. P. 1867--1891
Yang R., Lu Z. // Int. J. Opt. 2012. ID 258013. 12 p
Hewageegana P., Stockman M.I. // Inf. Phys. Technol. 2006. Vol. 50. P. 177--181
Tseng C.W., Chen Y.L., Tao Y.T. // Org. Electr. 2012. Vol. 13. P. 1436--1442
Jin X.R., Lu Y., Zheng H., Lee Y.P., Rhee J.Y., Kim K.W., Jang W.H. // Opt. Commun. 2011. Vol. 284. P. 4766--4768
Normatov A., Ginzburg P., Berkovitch N., Lerman G.M., Yanai A., Levy U., Orenstein M. // Opt. Expres. 2010. Vol. 18. P. 14079--14086
Chang R., Chiang H.P., Leung P.T., Tsai D.P., Tse W.S. // Sol. Stat. Commun. 2005. Vol. 133. P. 315--320
Ma X., Benavides J., Haughn C.R., Xu F., Doty M.F., Cloutier S.G. // Org. Electr. 2013. Vol. 14. P. 1916--1923
Singh M.R. // Superlat. Microstr. 2008. Vol. 43. P. 537--541
Lindquist N.C., Nagpal P., McPeak K.M., Norris D.J., Oh S.H. // Rep. Prog. Phys. 2012. Vol. 75. ID 036501. 61 p
Garcia M.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. Vol. 44. ID 283001. 20 p
Zayats A.V., Smolyaninov I.I., Maradudin A.A. // Phys. Rep. 2005. Vol. 408 P. 131--314
Podsvirov O.A., Sidorov A.I., Churaev D.V. // Techn. Phys. 2014. Vol. 59. P. 1674--1678
Brunov V.S., Podsvirov O.A., Sidorov A.I., Churaev D.V. // Techn. Phys. 2014. Vol. 59. P. 1215--1219
Брунов В.С., Подсвиров О.А., Просников М.А., Сидоров А.И. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 12. С. 126--131
Игнатьев А.И., Нащекин А.В., Неведомский В.М., Подсвиров О.А., Сидоров А.И., Соловьев А.П., Усов О.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 5. С. 75--80
Подсвиров О.А., Сидоров А.И., Цехомский В.А., Востоков А.В. // ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 9. С. 1776--1781
Климов В.В. Наноплазмоника. М.: Физматлит, 2009. 480 с
Touzin M., Goeriot D., Guerret-Piecort C., Juve D., Treheux D., Fitting H.-J. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. ID 114110. 14 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель