Фотоприемники ИК-диапазона на основе изопериодических эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца-олова
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напыления сформированы фотоприемники ИК-диапазона на основе поверхностно-барьерных структур Pb/delta-слой/p-Pb1-xSnxTe1-ySey/p+-Pb0.8Sn0.2Te/Au и Au/delta-слой/n-Pb1-xSnxTe1-ySey(BaF2)/Pb. Поверхностно-барьерные структуры первого типа при температуре измерений ~170 K, пиковой длине волны λp~7.9-8.2 μm и длине волны отсечки λc~8.2-8.5 μm имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь R_0A=0.31-0.97 Omega·cm2, пиковую квантовую эффективность etaλ=0.32-0.48 и удельную обнаружительную способность Dλ^*=(0.72-1.83)·1010 cm·Hz1/2·W-1. Для фотодиодов на основе поверхностно-барьерных структур второго типа при температуре измерений ~80 K эти параметры принимали значения в диапазоне λp~8.6-12.3 μm, λc~9.2-12.9 μm, R_0A=1.71-2.72 Omega·cm2, etaλ=0.34-0.49, Dλ^*=(3.02-4.51)·1010 cm·Hz1/2·W-1.
- Ковалев Ю.Г., Ткачук А.И., Филер З.Е., Царенко О.Н. // Петербургский журнал электроники. 2010. N 4 (65). С. 33--39
- Tsarenko O.N., Ryabets S.I., Tkachuk A.I. // Functional Materials. 2005. Vol. 12. N 3. P. 526--530
- Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Aliyev V.A., Enukashvili M.I., Zlomanov V.P., Kamushadze T.D., Mirianashvili Sh.M. // Georgia Chem. J. 2009. Vol. 9. N 1. P. 1--3
- Ткачук А.И., Царенко О.Н., Рябец С.И., Ткачук И.Ю., Ковалев Ю.Г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. N 1 (67). С. 42--44
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
1, Ткачук А.И.
1, Рябец С.И.
1
