Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напыления сформированы фотоприемники ИК-диапазона на основе поверхностно-барьерных структур Pb/delta-слой/p-Pb_1-xSn_xTe_1-ySe_y/p⁺-Pb_0.8Sn_0.2Te/Au и Au/delta-слой/n-Pb_1-xSn_xTe_1-ySe_y(BaF₂)/Pb. Поверхностно-барьерные структуры первого типа при температуре измерений ~170 K, пиковой длине волны λ_p~7.9-8.2 μm и длине волны отсечки λ_c~8.2-8.5 μm имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь R_0A=0.31-0.97 Omega·cm², пиковую квантовую эффективность eta_λ=0.32-0.48 и удельную обнаружительную способность D_λ^*=(0.72-1.83)·10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1. Для фотодиодов на основе поверхностно-барьерных структур второго типа при температуре измерений ~80 K эти параметры принимали значения в диапазоне λ_p~8.6-12.3 μm, λ_c~9.2-12.9 μm, R_0A=1.71-2.72 Omega·cm², eta_λ=0.34-0.49, D_λ^*=(3.02-4.51)·10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.