Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Численное и экспериментальное исследования оптимизированного p-SOS-диода
Переводная версия: 10.1134/S1063784219030186 
Российский научный фонд, 14-29-00094
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Alexander.Lyublinsky@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования процесса переключения p+P0n+-структуры SOS-диода с уменьшенной толщиной P-базы. Предложенная одномерная диффузионно-дрейфовая модель динамики электронно-дырочной плазмы дала хорошее согласие с экспериментом. Уменьшение толщины P-базы позволило повысить амплитуду выходного импульса в два раза при той же плотности коммутируемого тока. Это было достигнуто за счет существенного снижения коммутационных потерь, а также за счет формирования в процессе обрыва тока области сильного электрического поля квазипрямоугольной формы на P0n+-переходе. В результате были сформированы выходные импульсы напряжения с амплитудой, существенно превышающей напряжение статического пробоя P0n+-перехода p-SOS-диода. Этот эффект наблюдался впервые для высоковольтных полупроводниковых ключей размыкающего типа.
- Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н., Филатов А.А. // ДАН. 1993. Т. 330. Вып. 3. С. 315--317
- Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 7. С. 989--995
- Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 535--543
- Engelko A., Bluhm H. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 10. P. 5828--5836
- Грехов И.В., Люблинский А.Г., Белякова Е.И. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 3. С. 106--109
- Подольская Н.И., Люблинский А.Г., Грехов И.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 12. С. 1790--1793
- Caughey D.M., Thomas R.E. // Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. P. 2192--2193
- Dorkel, J., Leturcq Ph. // Solid State Electron. 1981. Vol. 24. P. 821--825
- Roulston D.J., Arora N.D., Chamberlain S.G. // IEEE Tr. Electron. Dev. 1982. Vol. 29. P. 284--291
- Law M.E. et al. // IEEE Electron. Dev. Lett. 1991. Vol. 12. N 8. P. 401--403
- Fossum J.G., Lee D.S. // Solid State Electron. 1982. Vol. 25. P. 741--747. [12 Selberherr S. // Analysis and Simulation of Semiconductor Devices. Wien, NY.: Springer-Verlag, 1984. 296 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
