Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 1674
<<<>>>
Управление магнитными свойствами многослойных периодических структур на основе Co/Pt
DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48327.135-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110276
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00827
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00247
Татарский Д.А.1,2, Гусев Н.С.1, Михайловский В.Ю.3, Петров Ю.В.3, Гусев С.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: tatarsky@ipmras.ru, gusev@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Исследована возможность управления магнитными свойствами многослойных периодических структур с перпендикулярной магнитной анизотропией на основе пленок кобальта и платины. Многослойные пленки, состоящие из слоев толщиной 0.5-1.0 nm, подвергались двум типам воздействий: вакуумному отжигу при различных температурах и облучению пучками ионов гелия. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что облучение ионами He+ с энергией 30 keV приводит к перемешиванию материала слоев, тогда как при вакуумном отжиге слоевая структура пленки сохраняется. При этом в результате термического отжига значительно увеличивается коэрцитивная сила структуры, а при облучении ионами гелия коэрцитивность пленок уменьшается вплоть до изменения типа анизотропии с перпендикулярной на анизотропию легкая плоскость". Ключевые слова: кобальт, платина, перпендикулярная магнитная анизотропия, вакуумный отжиг, облучение, гелий.
  1. Carcia P.F. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. P. 5066--5073. DOI 10.1063/1.340404
  2. Ziemys G., Ahrens V., Mendisch S., Csaba G., Becherer M. // AIP Advances 2018. Vol. 8. P. 056310-1--056310-6. DOI 10.1063/1.5007308
  3. Becherera M., Kiermaiera J., Breitkreutza S., Eichwalda I., vZiemysa G. Csabab G., Schmitt-Landsiedela D. // Solid-State Electronics. 2014. Vol. 102. P. 46--51. DOI 10.1016/j.sse.2014.06.012
  4. Kiermaier J., Breitkreutz S., Eichwald I., Engelstadter M., Ju X., Csaba G., Schmitt-Landsiedel D., Becherer M. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 17B902-1--17B902-3. DOI 10.1063/1.4794184
  5. R. Alben, J.J. Becker, M.C. Chi // J. Appl.Phys. 1978. Vol. 49. P. 1653--1658. DOI 10.1063/1.324881
  6. Гусев С.А., Татарский Д.А., Климов А.Ю., Рогов В.В., Скороходов Е.В., Сапожников М.В., Грибков Б.А., Нефёдов И.М., Фраерман А.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. С. 435--439. DOI 10.1134/S1063783413030141
  7. Sapozhnikov M.V., Vdovichev S.N., Ermolaeva O.L., Gusev N.S., Fraerman A.A., Gusev S.A., Petrov Yu.V. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 109. P. 042406-1--042406-5. DOI 10.1063/1.4958300
  8. Gusev S.A., Drozdov M.N., Ermolaeva O.L., Fraerman A.A., Gusev N.S., Mikhailovskii V.Yu., Petrov Yu.V., Sapozhnikov M.V., Vdovichev S.N. // AIP Conf.Proc. 2016. Vol. 1748. P. 030002-1--030002-7. DOI 10.1063/1.4954348
  9. Tatarskiy D.A., Skorokhodov E.V., Gusev N.S., Mikhailovskii V.Yu., Petrov Yu.V., Gusev S.A. // AIP Conf. Proc. 2019. Vol. 2064. P. 020005-1--020005-6. DOI 10.1063/1.5087661
  10. Aziz A., Bending S.J., Roberts H., Crampin S., Heard P.J., Marrows C.H. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 124102-1--124102-4. DOI 10.1063/1.2149500
  11. Gupta R., Lieb K.P., Muller G.A., Weisheit M., Zhang K. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2006. Vol. 2246. P. 393--396. DOI 10.1016/j.nimb.2006.01.019
  12. Fassbender J., McCord J. // J. Magn. Magn. Mater. 2008. Vol. 320. P. 579--596. DOI 10.1016/j.jmmm.2007.07.032
  13. Rettner C.T., Anders S., Baglin J.E. E., Thomson T., Terris B.D. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 279--281. DOI 10.1063/1.1432108
  14. Devolder T., Ferre J., Chappert C., Bernas H., Jamet J.-P., Mathet V. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 064415-1-064415-7. DOI 10.1103/PhysRevB.64.064415
  15. Гусев С.А., Ноздрин Ю.Н., Розенштейн Д.Б., Целев А.Е. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 4. С. 66--70. DOI 10.1134/1.1258995
  16. Sehdev N., Medwal R., Malik R., Kandasami A., Kanjilald D., Annapoornie S. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2018. Vol. 420. P. 50--56. DOI 10.1016/j.nimb.2018.02.003
  17. Wang Yi., Wang W.X., Wei H.X., Zhang B.S., Zhan W.S., Han X.F. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. P. 09C711-1--09C711-3. DOI 10.1063/1.3358249
  18. Lee T.Y., Won Y.Ch., Su Son D., Ho Lim S., Lee S.-R. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114. P. 173909-1--173909-6. DOI 10.1063/1.4829024
  19. Lee T.Y., Su Son D., Ho Lim S., Lee S.-R. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 216102-1--216102-3. DOI 10.1063/1.4809130
  20. Hara R., Hayakawa K., Ebata K., Sugita R. // AIP Advances. 2016. Vol. 6. P. 056117-1--056117-7. DOI 10.1063/1.4943930
  21. Yamane H., Maeno Y., Kobayashi M. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. P. 1562--1564. DOI 10.1063/1.108641
  22. Zhihong J., Defang Sh., Tiansheng Shi, Changlin G., Rongfa G. // Chin. Phys. Lett. 1994. Vol. 11. P. 169--172. DOI 10.1088/0256-307X/11/3/011
  23. Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2010. Vol. 268. P. 1818--1823. DOI 10.1016/j.nimb.2010.02.091

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme