Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1758
<<<>>>
Проблемы при использовании травителя KOH-IPA для текстурирования кремниевых пластин
DOI: 10.21883/JTF.2020.10.49810.431-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784220100047
Министерство образования и науки (МОН) Республики Казахстан, Разработка элементов и построение оптимальных систем автономного энергоснабжения объектов агропромышленного комплекса с использованием возобновляемых источников энергии, BR05236498
Министерство образования и науки (МОН) Республики Казахстан, Управление поверхностными состояниями кристаллического кремния пассивацией аморфным гидрогенизированным кремнием собственной проводимости, AP05133645
Министерство образования и науки (МОН) Республики Казахстан, Коммерциализация технологии получения кремния высокой частоты из мелкофракционного кварцевого сырья, включая крупнотоннажные ултрадисперсные отходы металлургического производства, 0355-18-ГК
Министерство образования и науки (МОН) Республики Казахстан, Получение и исследование перспективныхвозобновляемых, AP05133651
Министерство образования и науки (МОН) Республики Казахстан, Модернизация оборудования и технологии получения очищенного кремния и моносилана для солнечной фотоэнергетики, AP05130235
Чучвага Н.А. 1,2, Кислякова Н.М.1, Токмолдин Н.С. 1,2,3, Ракыметов Б.А.1, Серикканов А.С. 1
1Satbaev University, Institute of Physics and Technology, Алматы, Казахстан
2Научно-производственный центр агроинженерии, Алматы, Казахстан
3Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Email: nikolay.chuchvaga@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 5 марта 2020 г.
Принята к печати: 5 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2020 г.
PDF версия
Процесс влажной химической обработки монокристаллических кремниевых пластин, включающий их текстурирование, представляет собой одну из ключевых стадий технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов. В рамках работы были изучены способы текстурирования монокристаллических кремниевых пластин для солнечных элементов. В результате исследований были определены оптимальные параметры технологии текстурирования для исследуемых образцов, а также определен основной вид травителя для процессов текстурирования, представляющий собой раствор KOH с изопропанолом. Ключевые слова: фотовольтаика, кристаллический кремний, HIT, фотоэлемент, текстурирование, влажная химия, СЭМ.
  1. H. Seidel, L. Csepregi, A. Heuberger, H. Baumgartel Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in Alkaline Solutions // J. Electrochem. Soc., 1990. Vol. 137. P. 3612. DOI: 10.1149/1.2086277
  2. P. Campbell, M.A. Green. Light trapping properties of pyramidally textured surfaces // J. Appl. Phys., 1987. Vol. 62. P. 243--249. DOI: 10.1063/1.339189
  3. S. Olibet, E. Vallat-Sauvan, L. Fesquet, Ch. Monachon, A. Hessler-Wyser, J. Damon-Lacoste, S. De Wolf, Ch. Ballif. Properties of interfaces in amorphous/crystalline silicon heterojunctions // Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci., 2010. Vol. 207. P. 651--656. DOI: 10.1002/pssa.200982845
  4. A. Froitzheim, K. Brendel, L. Elstner, W. Fuhs, K. Kliefoth, M. Schmidt Interface recombination in heterojunctions of amorphous and crystalline silicon // J. Non-Crystalline Solids. 2002. Vol. 299--302. P. 663--667. DOI: 10.1016/S0022- 3093(01)01029-8
  5. W. Kern Overview and Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology, 2nd Edition, 2008. P. 3--92
  6. K. Reinhardt, W. Kern Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology. (Second Edition). [Online]. William Andrew Inc., 2008, 396 p. URL: http://www.sciencedirect.com/ science/book/9780815515548
  7. H. Dekkers, F. Duerinckx, J. Szlufcik, J. Nijs. Silicon surface texturing by reactive ion etching, Opto-Electronics Review. 2000. Vol. 8. N 4. P. 311--316
  8. I. Melnyk, E. Wefringhaus, M. McCann, A. Helfricht, A. Hauser, P. Fath Na2CO3 as an alternative to NAOH/IPA for texturisation of monocrystalline silicon. Proc. 19th EU PVSEC, 1090 (2004)
  9. P. Papet, O. Nichiporuk, A. Kaminski, Y. Rosier, J. Kraiem, J.-F. Lelievre, A. Chaumartin, A. Fave, M. Lemiti et al., Pyramidal texturing of silicon solar cell with TMAH chemical anisotropic etching, Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2006. Vol. 90. N 15. P. 2319--2328, DOI: 10.1016/j.solmat.2006.03.005
  10. K. Birmann, M. Zimmer, J. Rentsch Fast alkaline etching on monocrystalline wafers in KOH/CHX, 2008, Proc. 23rd EU PVSEC, P. 1608--1611. DOI: 10.4229/23rdEUPVSEC2008-2CV.5.8
  11. K. Wijekoon, T. Weidman, S.Paak, K. McWilliams. Production ready novel texture etching process for fabrication of single crystalline silicon solar cells. Proc. IEEE PVSC. 2010. P. 3635. DOI: 10.1109/PVSC.2010.5614441
  12. N.A. Chuchvaga, N.M. Kislyakova, K.P. Aimaganbetov, B.A. Rakymetov, N.S. Tokmoldin. Исследование влияния влажной химической обработки на поверхность кремниевых монокристаллических пластин // Recent Contributions to Physics (Rec. Contr. Phys.). 2018. Т. 67. N 4. С. 108--114
  13. С.Е. Никитин, А.В. Бобыль, Н.Р. Авезова, Е.И. Теруков. Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. N 13. С. 1675--1682. DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46886.8938

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme