Трибологические исследования слоев alpha-beta-Ga2O3 в паре с сапфировым контртелом
Бутенко П.Н.1, Гузилова Л.И.1, Чикиряка А.В.1, Печников А.И.1, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavel.butenko@ioffe.mail.ru
Поступила в редакцию: 16 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2021 г.
Принята к печати: 13 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2021 г.
Рассмотрена износостойкость эпитаксиальных слоев alpha- и beta-полиморфов оксида галлия, выращенных на сапфировых подложках. Это одно из первых исследований трибологических свойств перспективного широкозонного полупроводникового кристалла. В результате проведенных триботестов с участием сапфирового контртела в процессе сухого трения на воздухе показано, что слои метастабильного alpha-Ga2O3 более стойки к истиранию, чем слои термостабильной beta-фазы. При этом полученные величины коэффициентов износа позволяют отнести оба полиморфа к износостойким материалам, и особенно alpha-Ga2O3 со структурой корунда. Кроме того, alpha- и beta-Ga2O3 демонстрируют крайне низкие значения коэффициентов трения, ниже, чем таковые у сапфира. Ключевые слова: оксид галлия, эпитаксиальный слой, трибология, износостойкость, коэффициент трения.
- E.O. Jonson. RCA Rev., 26, 163 (1965)
- M.N. Yoder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1633 (1996)
- A.K. Battu, C.C. Ramana. Adv. Eng. Mater., 20, 1701033 (2018)
- А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, И.П. Сошников. ФТТ, 60 (5), 851 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2021.09.51214.62-21 [A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, V.I. Nikolaev, A.V. Osipov, E.V. Osipova, I.P. Soshnikov. Physics Solid State, 60 (5), 852 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418050104]
- В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников. Письма в ЖТФ, 45 (21), 51 (2019). DOI:10.21883/PJTF.2019.21.48476.17991 [V.I. Nikolaeva, A.V. Chikiryaka, L.I. Guzilova, A.I. Pechnikov. Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1114 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019110117]
- Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, А.И. Печников, В.Н. Маслов, Д.В. Завьялов, В.Л. Абдрахманов, А.Е. Романов, В.И. Николаев. Физика и механика материалов, 29 (2), 166 (2016). [L.I. Guzilova, A.S. Grashchenko, A.I. Pechnikov, V.N. Maslov, D.V. Zav'yalov, V.L. Abdrachmanov, A.E. Romanov, V.I. Nikolaev. Mater. Phys. Mechan., 29 (2), 166 (2016).]
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
- R. Roy, V.G. Hill, E.F. Osborn. J. Amer. Chem. Soc., 74, 719 (1952)
- E.G. Villora, S. Arjoca, K. Shimamura, D. Inomata, K. Aoki. Proc. Of SPIE, 8987, 89871U (2017)
- G. Zeng, C. Tan, N. Tansu, B.A. Krick. App. Phys. Lett., 109, 051602 (2016)
- H. Mishina. The Friction Behavior of Semiconductors Si and GaAs in Contact With Pure Metals. NASA Technical Memorandum 83779 (Lewis Research Center, Cleveland, USA, 1985)
- D.E. Kim, N.P. Suh. Wear. 162, 873 (1993)
- C.G. Goetzel, J.B. Rittenhouse, J.B. Singletary. Space materials handbook. 2nd ed. (Addison Wesley Publishing Co., NY., USA 1965)
- F. Pape, H-H. Gatzen, G. Poll. Tribology Online, 11 (5), 547 (2016)
- M. Fallqvist, M. Olsson, S. Ruppi. Surf. Coat. Technol., 202, 837 (2007)
- P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka, A.I. Pechnikov, A.S. Grashchenko, A.O. Pozdnyakov, V.I. Nikolaev. Mater. Phys. Mechan., 47 (1), 52 (2021)
- В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов, Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, А.Н. Смирнов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, П.Н. Брунков, Д.А. Кириленко. ФТП, 50 (7), 997 (2016). [V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, Sh.Sh. Sharofidinov, A.A. Golovatenko, I.P. Nikitina, A.N. Smirnov, V.E. Bugrov, A.E. Romanov, P.N. Brunkov, D.A. Kirilenko. Semiconductors, 50 (7), 980 (2016).]
- Y. Oshima, E.G. llora, K. Shimamura. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley-VCH GmbH, Weinheim, Germany, 2017)
- А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев. ФТП, 53 (6), 789 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2021.09.51214.62-21 [A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, M.P. Scheglov, M.A. Odnobludov, V.I. Nikolaev. Semiconductors, 53 (6), 789 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060150]
- R. Budynas, K. Nisbett. Shigley's Mechanical Engineering Design. 8th ed. (McGraw-Hill, NY., USA, 2008)
- P.M.J. Rahnejat. PhD. Thesis (London, University of London, 1988)
- K.L. Johnson. Contact Mechanics (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1985)
- P. Auerkari. Mechanical and Physical Properties of Engineering Alumina Ceramics (VTT, Espoo, Finland, 1996)
- T. Vodenitcharova, L.C. Zhang, I. Zarudi, Y. Yin, H. Domyo, T. Ho, M. Sato. J. Mater. Proc. Technol., 194 (1-3), 52 (2007)
- J.F. Archard. J. Appl. Phys., 24 (8), 981 (1953)
- E.J. Duwell. J. Appl. Phys., 33 (9), 2691 (1962)
- J. Gobet, P.N. Volpe, M.A. Dubois. Appl. Phys. Lett., 108 (12), 124103 (2016)
- E.S. Gadelmawlaa, M.M. Kourab, T.M.A. Maksoudc, I.M. Elewaa, H.H. Soliman. J. Mater. Proc. Tech., 123 (62), 133 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.