Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 546
<<<>>>
Влияние частичного замещения железа на элементы IV группы на структуру и сверхпроводящие свойства соединения Fe(Se0.2Te0.8)0.82
DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55043.252-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.04.55943.252-22
Русаков В.А.1, Волков М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 9 февраля 2023 г.
Принята к печати: 9 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2023 г.
PDF версия
Исследованы структура и сверхпроводящие свойства соединения Fe1-x(A)x(Se0.2Te0.8)0.82 (x=0.1, 0.2), где А - Cu, Zn, Bi или элементы IV группы (Pb, Sn, Ge). Показано, что влияние замещения части атомов железа на структуру и сверхпроводящие свойства Fe(Se,Te) соединения зависит от того, образуется ли твердый раствор с замещающим элементом. Если происходит полное растворение замещающего элемента (Cu,Zn), то тогда наблюдается существенная деградация сверхпроводящих свойств. Если происходит выпадение отдельной халькогенидной фазы (замещение на Pb, Sn, Ge), то наблюдается слабое изменение сверхпроводящих свойств. Такое слабое изменение и даже улучшение сверхпроводящих свойств при выпадении халькогенидной фазы может быть связано как с положительным влиянием увеличения относительного содержания железа, так и с уменьшением количества атомов железа в междоузельных позициях β-фазы. Сохранение сверхпроводящих свойств соединения Fe(Se,Te) при малом замещении железа на элементы IV группы может использоваться при создании проводов на основе Fe(Se,Te), так как частицы примесного халькогенида могут выступать как эффективные центры пиннинга. Ключевые слова: Сверхпроводник на основе железа, FeSeTe, критические параметры, замещение, структура, удельное электросопротивление магнитосопротивление, влияние давления. DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55043.252-22
  1. F.-C. Hsu, J.-Y. Luo, K.-W. Yeh, T.-K. Chen, T.-W. Huang, Ph.M. Wu, Y.-C. Lee, Y.-L. Huang, Y.-Y. Chu, D.-Ch. Yan, M.-K. Wu. PNAS, 105 (38), 14262 (2008). DOI: 10.1073/pnas.0807325105
  2. М.П. Волков, Б.А.-Т. Мелеx, В.И. Баxарев, Н.Ф. Картенко. Письма в ЖТФ, 36 (6), 8 (2010). [M.P. Volkov, B.A.T. Melekh, V.I. Bakharev, N.F. Kartenko. Tech. Phys. Lett., 36, 251 (2010). https://doi.org/10.1134/S1063785010030156]
  3. В.А. Русаков, Б.А.-Т. Мелех, М.П. Волков. ЖТФ, 90 (1), 69 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.01.48663.439-18 [V.A. Rusakov, B.A.-T. Melekha, M.P. Volkov. Tech. Phys., 65 (1), 63 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220010223]
  4. A. Kreisel, P.J. Hirschfeld, B.M. Andersen. Symmetry, 12, 1402 (2020). https://doi.org/10.3390/sym12091402
  5. A.V. Fedorchenko, G.E. Grechnev, V.A. Desnenko, A.S. Panfilov, S.L. Gnatchenko, V.V. Tsurkan, J. Deisenhofer, H.-A. Krug von Nidda, A. Loidl, D.A. Chareev, O.S. Volkova, A.N. Vasiliev. Low Temp. Phys., 37, 83 (2011). DOI: 10.1063/1.3552132
  6. S. Margadonna, Y. Takabayashi, Y. Ohishi, Y. Mizuguchi, Y. Takano, T. Kagayama, T. Nakagawa, M. Takata, K. Prassides. Phys. Rev. B, 80, 064506 (2009). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.064506
  7. T.P. Ying, X.L. Chen, G. Wang, S.F. Jin, T.T. Zhou, X.F. Lai, H. Zhang, W.Y. Wang. Sci. Rep., 2, 426 (2012). DOI: 10.1038/srep00426
  8. J. Guo, Sh. Jin, G. Wang, Sh. Wang, K. Zhu, T. Zhou, M. He, X. Chen. Phys. Rev. B, 82, 180520(R) (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.180520
  9. М. Gursul, В. Ozcelik, М. Liu, A.I. Boltalin, I.V. Morozov. J. Alloys Comp. 777, 1074 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.11.076
  10. S.J. Sedlmaier, S.J. Cassidy, R.G. Morris, M. Drakopoulos, Ch. Reinhard, S.J. Moorhouse, D. O'Hare, P. Manuel, D. Khalyavin, S.J. Clarke. J. Am. Chem. Soc., 136 (2), 630 (2014). DOI: 10.1021/ja411624q
  11. D.J. Gawryluk, J. Fink-Finowicki, A. Wisniewski, R. Puzniak, V. Domukhovski, R. Diduszko, M. Kozlowski, M. Berkowski. Supercond. Sci. Technol., 24 (2011), 065011 (2012). (10pp). DOI: https://doi.org/10.1088/0953-2048/24/6/065011
  12. N. Chen, Y. Li, Z. Ma, H. Li. Mater. Lett., 175, 16 (2016). DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2016.03.137
  13. N. Chen, Y. Liu, Z. Ma, H. Li, Md Shahriar Hossain. J. Alloys Comp., 633, 233 (2015). DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.01.288
  14. H. Hosono, A. Yamamoto, H. Hiramatsu, Y. Ma, Mater. Today, 21, 278 (2018). https://doi.org/10.1016/j.mattod.2017.09.006
  15. L. Wang, Y. Qi, Zh. Zhang, D. Wang, X. Zhang, Zh. Gao, Ch. Yao, Y. Ma. Supercond. Sci. Technol., 23 (2010) 054010 (5pp). DOI: https://doi.org/10.1088/0953-2048/23/5/054010
  16. C. Yao, C. Wang, X. Zhang, L. Wang, Z. Gao, D. Wang, Ch. Wang, Y. Qi, Y. Ma, S. Awaji, K. Watanabe. Supercond. Sci. Technol., 25, 035020 (2012). DOI: https://doi.org/10.1088/0953-2048/25/3/035020
  17. Y. Ma. Supercond. Sci. Technol., 25, 113001 (2012). DOI: 10.1088/0953-2048/25/11/113001
  18. Ch. Yao, Y. Ma. Supercond. Sci. Technol., 32, 023002 (2019). DOI: 10.1088/1361-6668/aaf351
  19. H. Lin, et al., Scripta Mater., 112, 128 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2015.09.031
  20. H. Chu, J. Li, Sh. Li, Y. Zhang, N. Wang, J. Wang, Y. Gao, H. Deng, X. Sun, D. Zheng. Sci. China Phys. Mech. Astron., 53, 1180 (2010). https://doi.org/10.1007/s11433-010-4049-3
  21. H. Chu, J. Li, Sh. Li, Y. Zhang, N. Wang, J. Wang, Y. Gao, H. Deng, X. Sun, D. Zheng. Sci. China Phys. Mech. Astron., 53, 1180 (2010). DOI: 10.1007/S11433-010-4049-3
  22. Z. Zajicek, S.J. Singh, H. Jones, P. Reiss, M. Bristow, A. Martin, A. Gower, A. McCollam, A.I. Coldea. Phys. Rev. B, 105, 115130. (2022). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.115130
  23. M.P. Volkov, B.T. Melekh, R.V. Parfeniev, N.F. Kartenko, L.L. Regel, A.M. Turchaninov, J. Crystal Growth, 119, 122 (1992). DOI: 10.1016/0022-0248(92)90211-Z
  24. J. Pietosa, D.J. Gawryluk, R. Puzniak, A. Wisniewski, J. Fink-Finowicki, M. Kozlowski, M. Berkowski. J. Phys.: Condens. Matter., 24, 265701 (2012). DOI: 10.1088/0953-8984/24/26/265701
  25. E. Martinez-Pineiro, R. Escudero. arXiv:1601.01417v1 [cond-mat.supr-con] (2016). DOI: https://doi.org/10.48550/arXiv. 1601.01417
  26. М.П. Волков, Б.А.-Т. Мелеx, В.И. Баxарев, Н.Ф. Картенко, Д.Д. Прокофьев. Тезисы 36 совещания по физике низких температур, с. 301
  27. T.J. Liu, X. Ke, B. Qian, J. Hu, D. Fobes, E.K. Vehstedt, H. Pham, J.H. Yang, M.H. Fang, L. Spinu, P. Schiffer, Y. Liu, Z.Q. Mao. Phys. Revю B, 80, 174509 (2009). DOI: https://doi.org/10.48550/arXiv.0904.0824
  28. A.K. Yadav, A.D. Thakur, C.V. Tomy. Phys. Proced., 49, 109 (2013). DOI: 10.1016/j.phpro.2013.10.017

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme