Изучение угловых зависимостей скоростей ионно-пучкового распыления металлов для синтеза заготовок фотошаблонов
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , Federal Scientific and Technical Program for the Development of Synchrotron and Neutron Research and Research Infrastructure for 2019-2027, 075-15-2021-1350
Михайленко М.С.1, Пестов А.Е.1, Чернышев А.К.1, Чхало Н.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhaylenko@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2023 г.
Принята к печати: 12 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.
Рассмотрено применение никеля как альтернативного материала-поглотителя при изготовлении заготовки маски для литографии в окрестности длины волны 11.2 nm. Установлено значение оптимального угла для эффективного распыления источниками ускоренных ионов аргона мишеней из Ru, Be и Ni для изготовления многослойной структуры Ru/Be с верхним слоем из Ni. Показано, что при угле 60o скорость травления всех трех материалов составляет 35±5 nm/min для ионов аргона с энергией 800 eV при плотности ионного тока 0.5 mA/cm2. Ключевые слова: литография, фотошаблон, рентгеновское зеркало, ионное распыление, ионное травление.
- S. Bajt, R.D. Behymer, P.B. Mirkarimi, C. Montcalm, M.A. Wall. Experimental Investigation of Beryllium-Based Multilayer Coatings for Extreme Ultraviolet Lithography. Proc. SPIE 3767, 259 (1999)
- P.B. Mirkarimi. Opt. Eng., 38 (7), 1246 (1999)
- N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko. AIP Advances, 3, 082130 (2013)
- А.Н. Нечай, А.А. Перекалов, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало. Опт. и спектр., 129 (3), 266 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.03.50652.282-20
- R.M. Smertin, N.I. Chkhalo, M.N. Drozdov, S.A. Garakhin, S.Yu. Zuev, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, P.A. Yunin. Opt. Express, 30 (26), 46749 (2022)
- P.-Y. Yan, G. Zhang, A. Ma, T. Liang. TaN EUVL Mask Fabrication and Characterization. Proc. SPIE 4343, Emerging Lithographic Technologies V, (2001). DOI: 10.1117/12.436668
- Электронный ресурс. Режим доступа: https://henke.lbl.gov/optical_constants/
- P.-Y. Yan, Y. Liu, M. Kamna, G. Zhang, R. Chen, F. Martinez. EUVL Multilayer Mask Blank Defect Mitigation for Defect-Free EUVL Mask Fabrication. Proc. SPIE 8322, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography III, 83220Z (2012). DOI: 10.1117/12.927018
- M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precision Engineering, 48, 338 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
- W. Eckstein. Vacuum, 82 (9), 930 (2008). DOI: 10.1016/j.vacuum.2007.12.004
- R.E. Lee. J. Vacuum Sci. Technol., 16, 164 (1979). DOI: 10.1116/1.569897
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
