Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 1166
<<<>>>
Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP
DOI: 10.21883/JTF.2023.08.55979.41-23
Андрюшкин В.В.1, Новиков И.И.1, Гладышев А.Г.1, Бабичев А.В.2, Карачинский Л.Я.1, Дюделев В.В.2, Соколовский Г.С.2, Егоров А.Ю.3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vvandriushkin@itmo.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 5 мая 2023 г.
Принята к печати: 5 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 23 июля 2023 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования особенностей эпитаксиального роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии сверхрешеток на основе сильно напряженных тонких слоев InGaAs/InAlAs на подложке InP. Показано, что скорости роста объемных слоев InGaAs и InAlAs, согласованных по постоянной решетки с InP, не позволяют точно определить скорости роста тонких сильно напряженных сверхрешеток типа In0.36Al0.64As/In0.67Ga0.33As, а ошибка составляет порядка 10%. Эффект связан с различием температуры роста слоев InGaAs и InAlAs, влияющей на интенсивность испарения индия с ростовой поверхности. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, сверхрешетка, квантово-каскадный лазер. DOI: 10.21883/JTF.2023.08.55979.41-23
  1. I.I. Novikov, A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.S. Kurochkin, A.G. Gladyshev, V.N. Nevedomsky, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy. Mater. Phys. Mech., 29 (1), 76 (2016)
  2. C. Silvestri, X. Qi, T. Taimre, K. Bertling, A.D. Rakic. APL Phot., 8 (2), 020902 (2023). DOI: 10.1063/5.0134539
  3. B. Meng, M. Singleton, M. Shahmohammadi, F. Kapsalidis, R. Wang, M. Beck, J. Faist. Optica, 7 (2), 162 (2020). DOI: 10.1364/OPTICA.377755
  4. P. Micheletti, J. Faista, T. Olariu, U. Senica, M. Beck, G. Scalari. APL Phot. Optica, 6 (10), 106102 (2021). DOI: 10.1063/5.0063141
  5. А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, М.А. Калитеевский, К.А. Иванов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 50 (5), 674 (2016). [A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, M.A. Kaliteevski, K.A. Ivanov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov. Semiconductors, 50, 662 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616050262]
  6. Г.Э. Цырлин, Р.Р. Резник, А.Е. Жуков, Р.А. Хабибуллин, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов. ФТП, 54 (9), 902 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49829.21 [G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.E. Zhukov, R.A. Khabibullin, K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Semiconductors, 54, 1092 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620090298]
  7. H.E. Beere, J.R. Freeman, O.P. Marshall, C.H. Worrall, D.A. Ritchie. J. Cryst. Growth, 311 (7), 1923 (2009). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.11.053
  8. L. Consolino, S. Bartalini, H.E. Beere, D.A. Ritchie, M.S. Vitiello, P. Natale. Sensors, 13 (3), 3331 (2013). DOI: 10.3390/s130303331
  9. M. Locatelli, M. Ravaro, S. Bartalini, L. Consolino, M.S. Vitiello, R. Cicchi, F. Pavone, P. Natale. Sci. Rep., 5 (1), 13566 (2015). DOI: 10.1038/srep13566
  10. N. Rothbart, O. Holz, R. Koczulla, K. Schmalz, H. Hubers. Sensors, 19 (12), 2719 (2019). DOI: 10.3390/s19122719
  11. A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photon., 15 (1), 16 (2021). DOI: 10.1038/s41566-020-00707-5
  12. F. Wang, X. Qi, Z. Chen, M. Razeghi, S. Dhillon. Micromachines, 13 (12), 2063 (2022). DOI: 10.3390/mi13122063
  13. A. Lyakh, R. Maulini, A. Tsekoun, R. Go, S. Von der Porten, C. Pflugl, L. Diehl, F. Capasso, C.K.N. Patel. PNAS, 107 (44), 18799 (2010). DOI: 10.1073/pnas.1013250107
  14. M. Suttinger, R. Kaspi, A. Lyakh. High-brightness Quantum Cascade Lasers. Mid-Infrared Optoelectronics: Materials, Devices, and Applications (Woodhead Publ., Cambridge, UK. 181, 2020), DOI: 10.1016/b978-0-08-102709-7.00005-x
  15. A.Yu. Egorov, A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, E.V. Nikitina, M. Tchernycheva, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 1527(2015). DOI: 10.1134/S106378261511007X
  16. А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, В.В. Дюделев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров. ПЖТФ, 46 (9), 35 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2021.24.51800.19014
  17. Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.М. Гилинский, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, К.С. Журавлев. Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, Российская Федерация, 2019). 108
  18. L. Boulley, T. Maroutian, P. Goulain, A. Babichev, A. Egorov, L. Li, E. Linfield, R. Colombelli, A. Bousseksou. AIP Adv., 13 (1), 015315(2023). DOI: 10.1063/5.0111159
  19. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Tech. Phys. Lett., 43, 666 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017070173
  20. G.J. Davies, R. Heckingbottom, H. Ohno, C.E.C. Wood, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 37 (3), 290 (1980). DOI: 10.1063/1.91910
  21. T. Mozume, I. Ohbu. Jpn. J. Appl. Phys., 31 (10R), 3277(1992). DOI: 10.1143/JJAP.31.3277
  22. K. Radhakrishnan, S.F. Yoon, R. Gopalakrishnan, K.L. Tan. J. Vac. Sci. Technol. A., 12, 1124 (1994). DOI: 10.1116/1.579176
  23. P. Thompson, Y. Li, J.J. Zhou, D.L. Sato, L. Flanders, H.P. Lee. Appl. Phys. Lett., 70, 1605 (1997). DOI: 10.1063/1.118629

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme