Представлены результаты исследований с использованием импедансной спектроскопии многослойных структур, состоящих из пленок нанокристаллов неорганических перовскитов CsPbI₃ и CsPbBr₃, которые были нанесены на поверхность солнечных элементов на основе кристаллического кремния (c-Si). Показано, что при одинаковых условиях графики импедансного отклика для обеих структур хорошо соответствуют модели эквивалентной схемы и включают последовательное сопротивление, сопротивление рекомбинации и геометрическую емкость, которая описывает параметры, возникающие из-за накопления заряда, сопротивления переноса заряда и/или наличия дополнительных межфазных электронных состояний. Обнаружено, что добавление слоя нанокристаллов CsPbI₃ усиливает фотоотклик при смещении, однако этот эффект сопровождается уменьшением проводимости. В свою очередь, добавление слоя нанокристаллов CsPbBr₃ подавляет фотоотклик при увеличении напряжения смещения, но улучшает фотоотклик при отсутствии напряжении смещения. Ключевые слова: импедансная спектроскопия, солнечные элементы, перовскиты, нанокристаллы, кристаллический кремний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.