Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 4 » Статья стр. 646
<<<>>>
Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы
Кудряшов М.А.1,2, Мочалов Л.А.1,2, Вшивцев М.А.1, Прохоров И.О.1,2, Спивак Ю.М.3, Мошников В.А.3, Кудряшова Ю.П.2, Мосягин П.В.2, Слаповская Е.А.2, Малышев В.М.1
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ymkanageeva@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2023 г.
Принята к печати: 17 января 2024 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2024 г.
PDF версия
Методом плазмохимического осаждения из газовой фазы впервые получены тонкие пленки GaS. В качестве прекурсоров использованы высокочистые элементарные Ga и S. Плазму возбуждали высокочастотным генератором (40.68 MHz) при пониженном давлении 0.1 Torr. Изучены состав, структурные и оптические свойства пленок GaS в зависимости от температуры подложки. Все пленки являлись высоко прозрачными (75%) в диапазоне 400-1100 nm. Ключевые слова: сульфид галлия, пленки, PECVD, структура, оптические свойства.
  1. C.S. Jung, F. Shojaei, K. Park, J.Y. Oh, H.S. Im, D.M. Jang, J. Park, H.S. Kang. ACS Nano, 9 (10), 9585 (2015). DOI: 10.1021/acsnano.5b04876
  2. P. Hu, L. Wang, M. Yoon, J. Zhang, W. Feng, X. Wang, Z. Wen, J.C. Idrobo, Y. Miyamoto, D.B. Geohegan, K. Xiao. Nano Lett., 13 (4), 1649 (2013). DOI: 10.1021/nl400107k
  3. Y. Gutierrez, M.M. Giangregorio, S. Dicorato, F. Palumbo, M. Losurdo. Front. Chem., 9, 781467 (2021). DOI: 10.3389/fchem.2021.781467
  4. C.H. Ho, S.L. Lin. J. Appl. Phys., 100 (8), 083508 (2006). DOI: 10.1063/1.2358192
  5. B. Chitara, A. Ya'akobovitz. Nanoscale, 10 (27), 13022 (2018). DOI: 10.1039/C8NR01065J
  6. C. Jastrzebski, K. Olkowska, D.J. Jastrzebski, M. Wierzbicki, W. Gebicki, S. Podsiadlo. J. Phys. Condens. Matter., 31 (7), 075303 (2019). DOI: 10.1088/1361-648X/aaf53b
  7. R.M.A. Lieth, F. Van Der Maesen. Phys. Status Solidi, 10 (1), 73 (1972). DOI: 10.1002/pssa.2210100107
  8. R. Minder, G. Ottaviani, C. Canali. J. Phys. Chem. Solids, 37 (4), 417 (1976). DOI: 10.1016/0022-3697(76)90023-8
  9. A. Cingolani, A. Minafra, P. Tantalo, C. Paorici. Phys. Status Solidi, 4 (1), K83 (1971). DOI: 10.1002/pssa.2210040150
  10. J.F. Molloy, M. Naftaly, Y.M. Andreev, G.V. Lanskii, I.N. Lapin, A.I. Potekaev, K.A. Kokh, A.V. Shabalina, A.V. Shaiduko, V.A. Svetlichnyi. Cryst. Eng. Comm., 16 (10), 1995 (2014). DOI: 10.1039/C3CE42230E
  11. D.J. Late, B. Liu, J. Luo, A. Yan, H.S.S.R. Matte, M. Grayson, C.N.R. Rao, V.P. Dravid. Adv. Mater., 24 (26), 3549 (2012). DOI: 10.1002/adma.201201361
  12. S. Yang, Y. Li, X. Wang, N. Huo, J.B. Xia, S.S. Li, J. Li. Nanoscale, 6 (5), 2582 (2014). DOI: 10.1039/C3NR05965K
  13. Y. Lu, J. Chen, T. Chen, Y. Shu, R.J. Chang, Y. Sheng, V. Shautsova, N. Mkhize, P. Holdway, H. Bhaskaran, J.H. Warner. Adv. Mater., 32 (7), 1906958 (2020). DOI: 10.1002/adma.201906958
  14. H. Lu, Y. Chen, K. Yang, Y. Kuang, Z. Li, Y. Liu. Front. Mater., 8, 775048 (2021). DOI: 10.3389/fmats.2021.775048
  15. A. Harvey, C. Backes, Z. Gholamvand, D. Hanlon, D. Mcateer, H.C. Nerl, E. Mcguire, A. Seral-Ascaso, Q.M. Ramasse, N. Mcevoy, S. Winters, N.C. Berner, D. Mccloskey, J.F. Donegan, G.S. Duesberg, V. Nicolosi, J.N. Coleman. Chem. Mater., 27 (9), 3483 (2015). DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b00910
  16. E. Cuculescu, I. Evtodiev, M. Caraman, M. Rusu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (3), 1077 (2006)
  17. X. Wang, Y. Sheng, R.J. Chang, J.K. Lee, Y. Zhou, S. Li, T. Chen, H. Huang, B.F. Porter, H. Bhaskaran, J.H. Warner. ACS Omega, 3 (7), 7897 (2018). DOI: 10.1021/acsomega.8b00749
  18. M. Ohyama, H. Ito, M. Takeuchi. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (7R), 4780 (2005). DOI: 10.1143/JJAP.44.4780
  19. N. Okamoto, H. Tanaka, N. Hara. Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2A), L104 (2001). DOI: 10.1143/JJAP.40.L104
  20. J. Kuhs, Z. Hens, C. Detavernier. J. Vac. Sci. Technol. A, 37, 020915 (2019). DOI: 10.1116/1.5079553
  21. H. Ertap, T. Baydar, M. Yuksek, M. Karabulut. Turkish J. Phys., 40 (3), 12 (2016). DOI: 10.3906/fiz-1604-14
  22. K. Morii, H. Ikeda, Y. Nakayama. Mater. Lett., 17 (5), 274 (1993). DOI: 10.1016/0167-577X(93)90013-N
  23. L. Mochalov, A. Logunov, I. Prokhorov, M. Vshivtsev, M. Kudryashov, Yu. Kudryashova, V. Malyshev, Yu. Spivak, E. Greshnyakov, A. Knyazev, D. Fukina, P. Yunin, V. Moshnikov. Opt. Quant. Electron., 54, 646 (2022). DOI: 10.1007/s11082-022-03979-z
  24. L. Mochalov, A. Logunov, M. Kudryashov, I. Prokhorov, T. Sazanova, P. Yunin, V. Pryakhina, I. Vorotuntsev, V. Malyshev, A. Polyakov, S.J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 10, 073002 (2021). DOI: 10.1149/2162-8777/ac0e11
  25. L. Mochalov, A. Logunov, D. Gogova, S. Zelentsov, I. Prokhorov, N. Starostin, A. Letnianchik, V. Vorotyntsev. Opt. Quant. Electron., 52, 510 (2020). DOI: 10.1007/s11082-020-02625-w
  26. M. Parlak, C. Er celebi. Thin Solid Films, 322 (1-2), 334 (1998). DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00929-2
  27. C. Sanz, C. Guillen, M.T. Gutierrez. J. Phys. D. Appl. Phys., 42 (8), 085108 (2009). DOI: 10.1088/0022-3727/42/8/085108
  28. G. Micocci, R. Rella, A. Tepore. Thin Solid Films, 172 (2), 179 (1989). DOI: 10.1016/0040-6090(89)90647-0

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme