Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 1 » Статья стр. 122
<<<>>>
Динамическое излучение и поглощение THZ-сигналов массивом двуслойных нанопроволок
Чигарев C.Г.1, Вилков Е.А.1, Бышевский-Конопко О.А. 1, Загорский Д.Л.2, Долуденко И.М.2, Панас А.И.3
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт кристаллографии им А.В.Шубникова Курчатовского комплекса "Кристаллография и фотоника" НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Государственное научно-производственное предприятие "Исток" им. Шокина, Фрязино, Московская обл., Россия
Email: byshevski@ms.ire.rssi.ru, chig50@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 17 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 6 января 2025 г.
PDF версия
Рассмотрены источники THz-излучения, построенные на принципах спинтроники, использующие гетероструктуры, образованные массивами двуслойных нанопроволок Fe/Ni и Ni/Co, выращенных в полимерных матрицах (трековых мембранах). В диапазоне частот 12-30 THz проведен сравнительный анализ их реакции на ток, протекающий по ним, и отдельно на внешнее THz-излучение. Установлено соответствие частотных диапазонов спин-инжекционного (динамического) THz-излучения, возбуждаемого током, инжектирующего спины в слоях гетероструктур, и области интенсивного поглощения электромагнитных колебаний внешнего источника. Это говорит о возможности использования структур с массивом нанопроволок для регистрации THz-сигналов. Ключевые слова: спиновая инжекция током, внешнее THz-излучение, спиновая неуравновешенность, динамическое THz-излучение, поглощение THz-излучения.
  1. A. Fert, J.-M. George, H. Jaffr\`es, R. Mattana, P. Seneor. Europhys. News, 34 (6), 227 (2003). DOI: 10.1051/epn:2003609609
  2. J.F. Gregg, I. Petej, E. Jouguelet, C. Dennis. J. Phys. D: Appl. Phys., 35 (18), R121 (2002). DOI: 10.1088/0022-3727/35/18/201
  3. I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76 (2), 323 (2004). DOI: 10.1103/RevModPhys.76.323
  4. S. Maekawa (Editor). Concepts in Spin Electronics (Oxford University Press, NY., 2006), DOI: 10.1093/acprof:oso/9780198568216.001.0001
  5. П.А. Грюнберг. УФН, 178 (12), 1349 (2008). DOI: 10.3367/UFNr.0178.200812g.1349 [P.A. Grunberg, Rev. Mod. Phys., 80 (4), 1531 (2008). DOI: 10.1103/RevModPhys.80.1531]
  6. Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, А.И. Панас, Э.М. Эпштейн. УФН, 179 (4), 359 (2009). DOI: 10.3367/UFNr.0179.200904b.0359 [Yu.V. Gulyaev, P.E. Zilberman, A.I. Panas, E.M Epshtein. Phys.-Usp., 52 (4), 335(2009). DOI: 10.3367/UFNe.0179.200904b.0359]
  7. А.К. Звездин, К.А. Звездин, А.В. Хвальковский. УФН, 178 (4), 436 (2008). DOI: 10.3367/UFNr.0178.200804g.0433 [Yu.V. Gulyaev, P.E. Zil'berman, E.M. Epshtein, A.K. Zvezdin, K.A. Zvezdin, A.V. Khval'kovskii. Phys. Usp., 51 (4), 409 (2008). DOI: 10.1070/PU2008v051n04ABEH006509]
  8. X. Zhou, L. Ma, Z. Shi, W.J. Fan, Jian-Guo Zheng, R.F.L. Evans, S.M. Zhou. Phys. Rev. B, 92 (6), 060402 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.92.060402
  9. Y.-C. Lau, D. Betto, K. Rode, J.M.D. Coey, P. Stamenov. Nature Nanotech., 11 (9), 758 (2016). DOI: 10.1038/nnano.2016.84
  10. P.E. Faria Jr, G. Xu, Y.-F. Chen, G.M. Sipahi, I. v Zutic. Phys. Rev. B, 95 (11), 115301 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.115301
  11. J. Walowski, M. Munzenberg. J. Appl. Phys., 120 (14), 140901 (2016). DOI: 10.1063/1.4958846
  12. A. Fernandez-Pacheco, R. Streubel, O. Fruchart, R. Hertel, P. Fischer, R.P. Cowburn. Nature Comm., 8 (6), 15756 (2017). DOI: 10.1038/ncomms15756
  13. S.S. Dhillon, M.S. Vitiell, E.H. Linfield, A.G. Davies, M.C. Hoffmann, J. Booske, C. Paoloni, M. Gensch, P. Weightman, G.P. Williams, E. Castro-Camus, D.R.S. Cumming, F. Simoens, I. Escorcia-Carranza, J. Grant, S. Lucyszyn, M. Kuwata-Gonokami, K. Konishi, M. Koch, C.A. Schmuttenmaer, T.L. Cocker, R. Huber, A.G. Markelz, Z.D. Taylor, V.P. Wallace, J.A. Zeitler, J. Sibik, T.M. Korter, B. Ellison, S. Rea, P. Goldsmith, K.B. Cooper, R. Appleby, D. Pardo, P.G. Huggard, V. Krozer, H. Shams, M. Fice, C. Renaud, A. Seeds, A. Stohr, M. Naftaly, N. Ridler, R. Clarke, J.E. Cunningham, M.B. Johnston. J. Phys. D: Appl. Phys., 50 (4), 043001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/50/4/043001
  14. A.M. Kadigrobov, Z. Ivanov, T. Claeson, R.I. Shekhter, M. Jonson. Europhys. Lett., 67 (6), 948 (2004). DOI: 10.1209/epl/i2004-10159-8
  15. V. Korenivski, A. Iovan, A. Kadigrobov, R.I. Shekhter. Europhys. Lett., 104 (2), 27011 (2013). DOI: 10.1209/0295-5075/104/27011
  16. Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, И.В. Маликов, Г.М. Михайлов, А.И. Панас, С.Г. Чигарев, Э.М. Эпштейн. Письма в ЖЭТФ, 93 (5), 289 (2011). [Yu.V. Gulyaev, P.E. Zilberman, I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, A.I. Panas, S.G. Chigarev, E.M. Epshtein. JETP Lett., 93 (5), 259 (2011). DOI: 10.1134/s0021364011050055]
  17. C.R. Martin. Science, 266 (5193), 1961 (1994). DOI: 10.1126/science.266.5193.1961
  18. M. Vazquez (Editor). Magnetic nano- and microwires: design, synthesis, properties and applications (Woodhead Publishing, Amsterdam, 2005)
  19. А.Д. Давыдов, В.М. Волгин. Электрохимия, 52 (9), 905 (2016). DOI: 10.7868/S0424857016090024 [A.D. Davydov, V.M. Volgin. Russ. J. Electrochem., 52 (9), 806 (2016). DOI: 10.1134/S1023193516090020]
  20. D.L. Zagorskiy, I.M. Doludenko, S.G. Chigarev, E.A. Vilkov, V.M. Kanevskii, A.I. Panas. IEEE Trans. Magnetics, 58 (2), 2300605 (2021). DOI: 10.1109/TMAG.2021.3083407
  21. А.С. Шаталов, Д.Л. Загорский, С.Г. Чигарев, И.Н. Дюжиков. Твердотельный источник электромагнитного излучения и способ его изготовления. (Пат. N 2715892. Бюллетень "Изобретения. Полезные модели", N 7, 2020)
  22. Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина. УФН, 136 (3), 459 (1982). DOI: 10.3367/UFNr.0136.198203d.0459 [B.P. Zakharchenya, D.N. Mirlin, V.I. Perel', I.I. Reshina. Sov. Phys. Usp., 25 (3), 143 (1982). DOI: 10.1070/PU1982v025n03ABEH004519]
  23. Ю.В. Гуляев, С.Г. Чигарев, А.И. Панас, Е.А. Вилков, Н.А. Максимов, Д.Л. Загорский, А.С. Шаталов. Письма в ЖТФ, 45 (6), 27 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.06.47495.17641 [Yu.V. Gulyaev, S.G. Chigarev, A.I. Panas, E.A. Vilkov, N.A. Maksimov, D.L. Zagorskii, A.S. Shatalov. Tech. Phys. Lett., 45 (3), 271 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019030271]
  24. L.A. Fomin, V.G. Krishtop, E.S. Zhukova, S.S. Zhukov, D.L. Zagorsky, I.M. Doludenko, S.G. Chigarev, E.A. Vilkov, A.I. Panas. Proc. SPIE, 12157, 1215706 (2022). DOI: 10.1117/12.2623795
  25. Л.А. Фомин, Д.Л. Загорский, C.Г. Чигарев, Е.А. Вилков, И.М. Криштоп, С.С. Долуденко, С.С. Жуков. ЖТФ, 92 (8), 1142 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52775.71-22 [L.A. Fomin, D.L. Zagorskiy, S.G. Chigarev, E.A. Vilkov, V.G. Krishtop, I.M. Doludenko, S.S. Zhukov. Tech. Phys., 67 (8), 961 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54557.71-22]
  26. А.И. Панас, С.Г. Чигарев, Е.А. Вилков, О.А. Бышевский-Конопко, Д.Л. Загорский, И.М. Долуденко. Изв. РАН. Сер. физ., 86 (7), 1013 (2022). DOI: 10.31857/S0367676522070249 [A.I. Panas, S.G. Chigarev, E.A. Vilkov, O.A. Byshevski-Konopko, D.L. Zagorskiy, I.M. Doludenko. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 86 (7), 841 (2022). DOI: 10.3103/S1062873822070243]
  27. S.G. Chigarev, L.A. Fomin, D.P. Rai, E.A. Vilkov, O.A. Byshevsky-Konopko, D.L. Zagorsky, I.M. Doludenkoand, A.I. Panas. SPIN, 13 (1), 2350010 (2023). DOI: 10.1142/S2010324723500108

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme