Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
Госзадание ИФМ РАН , FFUF-2024-0019
Юрасов Д.В.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Перетокин А.В.1, Скороходов Е.В.1, Родякина Е.Е.2, Смагина Ж.В.2, Новиков А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 14 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 6 января 2025 г.
Представлены результаты по отработке технологии глубокого анизотропного плазмохимического травления полупроводниковых GeSi структур с использованием инверсной электронной литографии с комбинированным нанесением металлической маски и электронного резиста. Осуществлена оптимизация различных этапов технологического процесса для формирования металлической маски и последующего переноса рисунка на реальную структуру в образце с учетом эффекта близости при литографии и изменения реальных размеров отверстий в процессе плазмохимического травления. Проведено сравнение результатов, полученных данным методом, с таковыми при использовании в качестве маски специализированного плазмостойкого электронного резиста. Продемонстрированы возможности данного подхода для формирования двумерных фотонных кристаллов на полупроводниковой GeSi гетероструктуре с толщиной 1 μm и более. Показано, что сформированные фотонные кристаллы позволяют увеличить интенсивность сигнала фотолюминесценции более чем на порядок величины по сравнению с исходной структурой. Ключевые слова: SiGe гетероструктуры, электронная литография, металлическая маска, плазмохимическое травление, фотонные кристаллы, фотолюминесценция.
- A.I. Kuznetsov, A.E. Miroshnichenko, M.L. Brongersma, Y.S. Kivshar, B. Lukyanchuk. Science, 354, aag2472 (2016). DOI: 10.1126/science.aag2472
- K. Koshelev, Y. Kivshar. ACS Photon, 8, 102 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.0c01315
- O.A.M. Abdelraouf, Z. Wang, H. Liu, Z. Dong, Q. Wang, M. Ye, X.R. Wang, Q.J. Wang, H. Liu. ACS Nano, 16, 13339 (2022). DOI: 10.1021/acsnano.2c04628
- A.I. Kuznetsov, M.L. Brongersma, J. Yao, M.K. Chen, U. Levy, D.P. Tsai, N.I. Zheludev, A. Faraon, A. Arbabi, N. Yu, D. Chanda, K.B. Crozier, A.V. Kildishev, H. Wang, J.K.W. Yang, J.G. Valentine, P. Genevet, J.A. Fan, O.D. Miller, A. Majumdar, J.E. Froch, D. Brady, F. Heide, A. Veeraraghavan, N. Engheta, A. Al\`u, A. Polman, H.A. Atwater, P. Thureja, R. Paniagua-Dominguez, S.T. Ha, A.I. Barreda, J.A. Schuller, I. Staude, G. Grinblat, Yu. Kivshar, S. Peana, S.F. Yelin, A. Senichev, V.M. Shalaev, S. Saha, A. Boltasseva, Ju. Rho, D.K. Oh, J. Kim, J. Park, R. Devlin, R.A. Pala. Roadmap for Optical Metasurfaces, ACS Photonics, 11, 816 (2024). DOI: 10.1021/acsphotonics.3c00457
- P. Moitra, X. Xu, R. Maruthiyodan Veetil, X. Liang, T.W.W. Mass, A.I. Kuznetsov, R. Paniagua-Dominguez. ACS Nano, 17, 16952 (2023). DOI: 10.1021/acsnano.3c04071
- M. Yoshida, S. Katsuno, T. Inoue, J. Gelleta, K. Izumi, M. De Zoysa, K. Ishizaki, S. Noda. Nature, 618, 727 (2023). DOI: 10.1038/s41586-023-06059-8
- V. Mylnikov, S.T. Ha, Zh. Pan, V. Valuckas, R. Paniagua-Dominguez, H.V. Demir, A.I. Kuznetsov. ACS Nano, 14, 7338 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.0c02730
- W. Song, X. Liang, Sh. Li, D. Li, R. Paniagua-Dominguez, K.H. Lai, Q. Lin, Y. Zheng, A.I. Kuznetsov. Laser Photonics Rev., 15, 2000538 (2021). DOI: 10.1002/lpor.202000538
- K. Takeda, T. Tsurugaya, T. Fujii, A. Shinya, Y. Maeda, T. Tsuchizawa, H. Nishi, M. Notomi, T. Kakitsuka, S.H. Matsuo. Opt. Expr., 29, 26082 (2021). DOI: 10.1364/OE.427843
- E. Dimopoulos, A. Sakanas, A. Marchevsky, M. Xiong, Y. Yu, E. Semenova, J. M rk, K. Yvind. Laser Photonics Rev., 16, 2200109 (2022). DOI: 10.1002/lpor.202200109
- A. Shakoor, R.L. Savio, P. Cardile, S.L. Portalupi, D. Gerace, K. Welna, S. Boninelli, G. Franz\`o, F. Priolo, Th.F. Krauss, M. Galli, L. O'Faolain. Laser Photonics Rev., 7, 114 (2013). DOI: 10.1002/lpor.201200043
- A. Mahdavi, G. Sarau, J. Xavier, T.K. Paraiso, S. Christiansen, F. Vollmer. Sci. Rep., 6, 25135 (2016). DOI: 10.1038/srep25135
- J.S. Xia, Y. Ikegami, Y. Shiraki, N. Usami, Y. Nakata. Appl. Phys. Lett., 89, 201102 (2006). DOI: 10.1063/1.2386915
- P. Boucaud, M. El Kurdi, S. David, X. Checoury, X. Li, T.-P. Ngo, S. Sauvage, D. Bouchier, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, T. Akatsu, C. Richtarch, B. Ghyselen. Thin Solid Films, 517, 121 (2008). DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.146
- R. Jannesari, M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz, F. Schaffler. Opt. Expr., 22 (21), 25426 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.025426
- V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M.I. Petrov, J. Schilling. Nano Lett., 17 (11), 6886 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03248
- S.A. Dyakov, M.V. Stepikhova, A.A. Bogdanov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, Z.F. Krasilnik, S.G. Tikhodeev, N.A. Gippius. Laser Photonics Rev., 15 (7), 2000242 (2021). DOI: 10.1002/lpor.202000242
- R.W. Millar, K. Gallacher, J. Frigerio, A. Ballabio, A. Bashir, I. MacLaren, G. Isella, D.J. Paul. Opt. Expr., 24 (5), 4366 (2016). DOI: 10.1364/OE.24.004365
- V. Rutckaia, F. Heyroth, G. Schmidt, A. Novikov, M. Shaleev, R. Savelev, J. Schilling, M. Petrov. ACS Photon., 8, 209 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.0c01319
- А.В. Мяконьких, А.В. Шишлянников, А.А. Татаринцев, В.О. Кузьменко, К.В. Руденко, Е.С. Горнев. Микроэлектроника, 50 (5), 333 (2021). DOI: 10.31857/S0544126921050045 [A.V. Miakonkikh, A.V. Shishlyannikov, A.A. Tatarintsev, V.O. Kuzmenko, K.V. Rudenko, E.S. Gornev. Russ. Microelectron., 50, 297 (2021). DOI: 10.1134/S1063739721050048]
- Электронный ресурс. Режим доступа: https://www.aqmaterials.com/aqm-silsesquioxane-polymers
- V.A. Volodin, V.A. Zinovyev, Zh.V. Smagina, A.F. Zinovieva, E.E. Rodyakina, A.V. Kacyuba, K.N. Astankova, K.V. Baryshnikova, M. Petrov, M.S. Mikhailovskii, M.V. Stepikhova, V.A. Verbus, A.V. Novikov. Photonics, 10, 1248 (2023). DOI: 10.3390/photonics10111248
- V.M. Donnelly, A. Kornblit. J. Vac. Sci. Technol., A31, 050825 (2013). DOI: 10.1116/1.4819316
- S. Wu, H. Xia, J. Xu, X. Sun, X. Liu. Adv. Mater., 47, 1803362 (2018). DOI: 10.1002/adma.201803362
- A. Goodyear, M. Boettcher, I. Stolberg, M. Cooke. Proc. SPIE 9428, 94280V-1 (2015). DOI: 10.1117/12.2085469
- A.V. Peretokin, D.V. Yurasov, M.V. Stepikhova, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, D.V. Shengurov, S.A. Dyakov, E.E. Rodyakina, Zh.V. Smagina, A.V. Novikov. Nanomaterials, 13, 1678 (2023). DOI: 10.3390/nano13101678
- R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Front. Mater., 2, 52 (2015). DOI: 10.3389/fmats.2015.00052
- J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Lett., 35 (5), 679 (2010). DOI: 10.1364/ol.35.000679
- J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, Th.L. Koch, J. Michel. Opt. Exp., 15, 11272 (2007). DOI: 10.1364/oe.15.011272
- S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nat. Photon., 9, 88 (2015). DOI: 10.1038/nphoton.2014.321
- A. Elbaz, D. Buca, N. von den Driesch, K. Pantzas, G. Patriarche, N. Zerounian, E. Herth, X. Checoury, S. Sauvage, I. Sagnes, A. Foti, R. Ossikovski, J.-M. Hartmann, F. Boeuf, Z. Ikonic, P. Boucaud, D. Grutzmacher, M. El Kurdi. Nat. Photon., 14, 375 (2020). DOI: 10.1038/s41566-020-0601-5
- D. Buca, A. Bjelajac, D. Spirito, O. Concepciуn, M. Gromovyi, E. Sakat, X. Lafosse, L. Ferlazzo, N. von den Driesch, Z. Ikonic, D. Grutzmacher, G. Capellini, M. El Kurdi. Adv. Opt. Mater, 10 (22), 2201024 (2022). DOI: 10.1002/adom.202201024
- F.T. Armand Pilon, A. Lyasota, Y.-M. Niquet, V. Reboud, V. Calvo, N. Pauc, J. Widiez, C. Bonzon, J.-M. Hartmann, A. Chelnokov, J. Faist, H. Sigg. Nature Commun., 10, 2724 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-10655-6
- J.M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.11.056
- V.A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D.R. Leadley. Thin Solid Films, 519, 7911 (2011). DOI: 10.1016/j.tsf.2011.06.022
- O. Skibitzki, M.H. Zoellner, F. Rovaris, M.A. Schubert, Y. Yamamoto, L. Persichetti, L. Di Gaspare, M. De Seta, R. Gatti, F. Montalenti, G. Capellini. Phys. Rev. Mater., 4, 103403 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.103403
- Yu.B. Bolkhovityanov, L.V. Sokolov. Semicond. Sci. Technol., 27, 043001 (2012). DOI: 10.1088/0268-1242/27/4/043001
- D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, N.A. Baidakova, M.V. Shaleev, E.E. Rodyakina, S.A. Dyakov, A.V. Novikov. J. Phys. D: Appl. Phys., 55, 075107 (2022). DOI: 10.1088/1361-6463/ac32fe
- H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999). DOI: 10.1063/1.125187
- Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49 (11), 1463 (2015). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42444 [D.V. Yurasov, A.I. Bobrov, V.M. Daniltsev, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin. Semiconductors, 49 (11), 1415 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615110263]
- Электронный ресурс. Режим доступа: https://www.allresist.com/portfolio-item/e-beam-resist-ar-p-6200-series-csar-62/
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
