Многослойные структуры NiMo/C, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления
Российский научный фонд, 21-72-30029-П
Российский научный фонд, 21-72-20108-П
Дуров К.В.
1, Ахсахалян А.Д.
1, Малышев И.В.
1, Полковников В.Н.
1, Чхало Н.И.
11Институт физики микроструктур РАН - филиал Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: zevs2801@mail.ru, akh@ipmras.ru, ilya-malyshev@ipmras.ru, polkovnikov@ipmras.ru, chkhalo@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 29 мая 2025 г.
Принята к печати: 29 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2025 г.
Исследованы характеристики многослойной системы NiMo/C, перспективной для зеркал гебелевского типа. Синтезировались структуры методом реактивного магнетронного распыления в аргоне с импульсной подачей азота, процентное содержание которого в камере равнялось 15 % и 30 % от общего давления рабочего газа. Изучалось влияние отжига при максимальных температурах 250 oC и 320 oC на отражательные и структурные свойства многослойных структур NiMo/C. По результатам малоугловой рентгеновской рефлектометрии на длине волны 0.154 nm были определены структурные параметры NiMo/C. Показано, что величины переходных областей на слоях C и NiMo находятся в пределах 4-7 Angstrem и, в общем, после отжига имеют тенденцию к снижению, либо небольшим флуктуациям. После отжига образцы NiMo/C, синтезированные при доле азота 15 %, имели коэффициенты отражения в первом порядке 78.8 %-76.1 % для периодов 41.5-33.5 Angstrem соответственно. Для структур, синтезированных с 30 % содержанием азота, коэффициент отражения составил 81.4 %-77.4 %. Ключевые слова: многослойные рентгеновские зеркала, реактивное магнетронное распыление, гебелевские зеркала. XXIX Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2025 г. XXIX Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2025 г.
- P. Lee. Appl. Opt., 22 (8), 1241 (1983). DOI: 10.1364/ao.22.001241
- M. Schuster, H. Gobel. J. Phys. D: Appl. Phys., 28, 270 (1995). DOI: 10.1088/0022-3727/28/4A/053
- M. Schuster, H. Gobel. J. Phys. D: Appl. Phys., 29, 1677 (1996). DOI: 10.1088/0022-3727/29/6/039
- C. Michaelsen, J. Wiesmann, C. Hoffmann, A. Oehr, A.B. Storm, L.J. Seijbel. Proc. SPIE, 5193, 211 (2004). DOI: 10.1117/12.530264
- C. Michaelsen, J. Wiesmann, C. Hoffmann, K. Wulf, L. Brugemann, A. Storm. Proc. SPIE, 4782, 143 (2002). DOI: 10.1117/12.469363
- A.A. Akhsakhalyan, A.D. Akhsakhalyan, A.I. Kharitonov, E.B. Kluenkov, V.A. Murav'ev, N.N. Salashchenko. Central Europ. J. Phys., 3 (2), 163 (2005). DOI: 10.2478/BF02475584
- T. Holz, R. Dietsch, H. Mai, L. Brugemann. Mater. Sci. Forum, 321--324, 179 (2000). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.321-324.179
- Э.П. Кругляков, А.Д. Николенко, Е.П. Семенов, Е.Д. Чхало, Н.И. Чхало. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 151 (1999)
- D.L. Windt, F.E. Christensen, W.W. Craig, C. Hailey, F.A. Harrison, M. Jimenez-Garate, R. Kalyanaraman, P.H. Mao. J. Аppl. Рhys., 88 (1), 460 (2000). DOI: 10.1063/1.373681
- C. Michaelsen, P. Ricardo, D. Anders, M. Schuster, J. Schilling, H. Gobel. Advances in X-ray Analysis, 42, 308 (2000)
- D.G. Reunov, A.A. Akhsakhalyan, A.D. Akhsakhalyan, N.I. Chkhalo, R.A. Shaposhnikov, Yu.N. Drozdov. J. Appl. Cryst., 57, 925 (2024). DOI: 10.1107/S1600576724004126
- A.V. Andreev, A.G. Michette, A. Renwick. J. Modern Opt., 35 (10), 1667 (1988). DOI: 10.1080/09500348814551821
- O. Renner, M. Kopecky, E. Krousky, F. Schafers, B.R. Muller, N.I. Chkhalo. Rev. Sci. Instruments, 63 (1), 1478 (1992). DOI: 10.1063/1.1143047
- К.В. Дуров, В.Н. Полковников, Н.И. Чхало, А.А. Ахсахалян, И.В. Малышев. ЖТФ, 94 (8), 1280 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.08.58555.149-24 [K.V. Durov, V.N. Polkovnikov, N.I. Chkhalo, A.A. Akhsakhalyan, I.V. Malyshev. Tech. Phys., 69 (8), 1184 (2024). DOI: 10.61011/TP.2024.08.59005.149-24]
- К.В. Дуров, В.Н. Полковников, Н.И. Чхало, А.Д. Ахсахалян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, принята к печати
- H. Takenaka, T. Kawamura, H. Kinoshita. Thin Solid Films, 288 (1-2), 99 (1996). DOI: 10.1016/S0040-6090(96)08837-2
- C. Sella, K. Youn, R. Barchewitz, M. Arbaoui, R. Krishnan. Appl. Surf. Sci., 33--34, 1208 (1988). DOI: 10.1016/0169-4332(88)90436-9
- M. Cilia, J. Verhoeven. J. Appl. Phys., 82 (9), 4137 (1997). DOI: 10.1063/1.366213
- C. Borchers, P. Ricardo, C. Michaelsen. Philosophical Magazine A, 80 (7), 1669 (2000). DOI: 10.1080/01418610008212143
- R. Dietsch, S. Braun, T. Holz, H. Mai, R. Scholz, L. Brugemann. Proc. of SPIE, 4144, 137 (2000). DOI: 10.1117/12.405887
- R. Kovacs-Mezei, Th. Krist, Zs. Revay. Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 586 (1), 51 (2008). DOI: 10.1016/j.nima.2007.11.034
- R. Gupta, M. Gupta. Phys. Rev. B, Condensed Matter, 72 (2), 024202 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.024202
- D.L. Windt. Proc. SPIE, 6688, 66880R (2007). DOI: 10.1117/12.730647
- N. Ghafoor, F. Eriksson, E. Gullikson, L. Hultman, J. Birch. Appl. Phys. Lett., 92, 091913 (2008). DOI: 10.1063/1.2857459
- I.A. Makhotkin, E. Zoethout, R. van de Kruijs, S.N. Yakunin, E. Louis, A.M. Yakunin, V. Banine, S. Mullender, F. Bijkerk. Opt. Exp., 21 (24), 29894 (2013). DOI: 10.1364/OE.21.029894
- D.S. Kuznetsov, A.E. Yakshin, J.M. Sturm, R.W.E. van de Kruijs, E. Louis, F. Bijkerk. Opt. Lett., 40 (16), 3778 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.003778
- P. Naujok, S. Yulin, N. Kaiser, A. Tuennermann. Proc. SPIE, 9422, 94221K (2015). DOI: 10.1117/12.2085764
- D. Xu, Q. Huang, Y. Wang, P. Li, M. Wen, P. Jonnard, A. Giglia, I. Kozhevnikov, K. Wang, Z. Zhang, Z. Wang. Opt. Exp., 23 (26), 33018 (2015). DOI: 10.1364/OE.23.033018
- J. Peng, Zh. Ouyang. Coatings, 12 (11), 1718 (2022). DOI: 10.3390/coatings12111718
- M. Svechnikov. J. Appl. Cryst., 53, 244 (2020). DOI: 10.1107/S160057671901584X
- M. Svechnikov. J. Appl. Cryst., 57, 848 (2024). DOI: 10.1107/S1600576724002231