Вышедшие номера
Многослойные структуры NiMo/C, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления
Российский научный фонд, 21-72-30029-П
Российский научный фонд, 21-72-20108-П
Дуров К.В. 1, Ахсахалян А.Д. 1, Малышев И.В. 1, Полковников В.Н. 1, Чхало Н.И. 1
1Институт физики микроструктур РАН - филиал Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: zevs2801@mail.ru, akh@ipmras.ru, ilya-malyshev@ipmras.ru, polkovnikov@ipmras.ru, chkhalo@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 29 мая 2025 г.
Принята к печати: 29 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2025 г.

Исследованы характеристики многослойной системы NiMo/C, перспективной для зеркал гебелевского типа. Синтезировались структуры методом реактивного магнетронного распыления в аргоне с импульсной подачей азота, процентное содержание которого в камере равнялось 15 % и 30 % от общего давления рабочего газа. Изучалось влияние отжига при максимальных температурах 250 oC и 320 oC на отражательные и структурные свойства многослойных структур NiMo/C. По результатам малоугловой рентгеновской рефлектометрии на длине волны 0.154 nm были определены структурные параметры NiMo/C. Показано, что величины переходных областей на слоях C и NiMo находятся в пределах 4-7 Angstrem и, в общем, после отжига имеют тенденцию к снижению, либо небольшим флуктуациям. После отжига образцы NiMo/C, синтезированные при доле азота 15 %, имели коэффициенты отражения в первом порядке 78.8 %-76.1 % для периодов 41.5-33.5 Angstrem соответственно. Для структур, синтезированных с 30 % содержанием азота, коэффициент отражения составил 81.4 %-77.4 %. Ключевые слова: многослойные рентгеновские зеркала, реактивное магнетронное распыление, гебелевские зеркала. XXIX Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2025 г. XXIX Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2025 г.
  1. P. Lee. Appl. Opt., 22 (8), 1241 (1983). DOI: 10.1364/ao.22.001241
  2. M. Schuster, H. Gobel. J. Phys. D: Appl. Phys., 28, 270 (1995). DOI: 10.1088/0022-3727/28/4A/053
  3. M. Schuster, H. Gobel. J. Phys. D: Appl. Phys., 29, 1677 (1996). DOI: 10.1088/0022-3727/29/6/039
  4. C. Michaelsen, J. Wiesmann, C. Hoffmann, A. Oehr, A.B. Storm, L.J. Seijbel. Proc. SPIE, 5193, 211 (2004). DOI: 10.1117/12.530264
  5. C. Michaelsen, J. Wiesmann, C. Hoffmann, K. Wulf, L. Brugemann, A. Storm. Proc. SPIE, 4782, 143 (2002). DOI: 10.1117/12.469363
  6. A.A. Akhsakhalyan, A.D. Akhsakhalyan, A.I. Kharitonov, E.B. Kluenkov, V.A. Murav'ev, N.N. Salashchenko. Central Europ. J. Phys., 3 (2), 163 (2005). DOI: 10.2478/BF02475584
  7. T. Holz, R. Dietsch, H. Mai, L. Brugemann. Mater. Sci. Forum, 321--324, 179 (2000). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.321-324.179
  8. Э.П. Кругляков, А.Д. Николенко, Е.П. Семенов, Е.Д. Чхало, Н.И. Чхало. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 151 (1999)
  9. D.L. Windt, F.E. Christensen, W.W. Craig, C. Hailey, F.A. Harrison, M. Jimenez-Garate, R. Kalyanaraman, P.H. Mao. J. Аppl. Рhys., 88 (1), 460 (2000). DOI: 10.1063/1.373681
  10. C. Michaelsen, P. Ricardo, D. Anders, M. Schuster, J. Schilling, H. Gobel. Advances in X-ray Analysis, 42, 308 (2000)
  11. D.G. Reunov, A.A. Akhsakhalyan, A.D. Akhsakhalyan, N.I. Chkhalo, R.A. Shaposhnikov, Yu.N. Drozdov. J. Appl. Cryst., 57, 925 (2024). DOI: 10.1107/S1600576724004126
  12. A.V. Andreev, A.G. Michette, A. Renwick. J. Modern Opt., 35 (10), 1667 (1988). DOI: 10.1080/09500348814551821
  13. O. Renner, M. Kopecky, E. Krousky, F. Schafers, B.R. Muller, N.I. Chkhalo. Rev. Sci. Instruments, 63 (1), 1478 (1992). DOI: 10.1063/1.1143047
  14. К.В. Дуров, В.Н. Полковников, Н.И. Чхало, А.А. Ахсахалян, И.В. Малышев. ЖТФ, 94 (8), 1280 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.08.58555.149-24 [K.V. Durov, V.N. Polkovnikov, N.I. Chkhalo, A.A. Akhsakhalyan, I.V. Malyshev. Tech. Phys., 69 (8), 1184 (2024). DOI: 10.61011/TP.2024.08.59005.149-24]
  15. К.В. Дуров, В.Н. Полковников, Н.И. Чхало, А.Д. Ахсахалян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, принята к печати
  16. H. Takenaka, T. Kawamura, H. Kinoshita. Thin Solid Films, 288 (1-2), 99 (1996). DOI: 10.1016/S0040-6090(96)08837-2
  17. C. Sella, K. Youn, R. Barchewitz, M. Arbaoui, R. Krishnan. Appl. Surf. Sci., 33--34, 1208 (1988). DOI: 10.1016/0169-4332(88)90436-9
  18. M. Cilia, J. Verhoeven. J. Appl. Phys., 82 (9), 4137 (1997). DOI: 10.1063/1.366213
  19. C. Borchers, P. Ricardo, C. Michaelsen. Philosophical Magazine A, 80 (7), 1669 (2000). DOI: 10.1080/01418610008212143
  20. R. Dietsch, S. Braun, T. Holz, H. Mai, R. Scholz, L. Brugemann. Proc. of SPIE, 4144, 137 (2000). DOI: 10.1117/12.405887
  21. R. Kovacs-Mezei, Th. Krist, Zs. Revay. Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 586 (1), 51 (2008). DOI: 10.1016/j.nima.2007.11.034
  22. R. Gupta, M. Gupta. Phys. Rev. B, Condensed Matter, 72 (2), 024202 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.024202
  23. D.L. Windt. Proc. SPIE, 6688, 66880R (2007). DOI: 10.1117/12.730647
  24. N. Ghafoor, F. Eriksson, E. Gullikson, L. Hultman, J. Birch. Appl. Phys. Lett., 92, 091913 (2008). DOI: 10.1063/1.2857459
  25. I.A. Makhotkin, E. Zoethout, R. van de Kruijs, S.N. Yakunin, E. Louis, A.M. Yakunin, V. Banine, S. Mullender, F. Bijkerk. Opt. Exp., 21 (24), 29894 (2013). DOI: 10.1364/OE.21.029894
  26. D.S. Kuznetsov, A.E. Yakshin, J.M. Sturm, R.W.E. van de Kruijs, E. Louis, F. Bijkerk. Opt. Lett., 40 (16), 3778 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.003778
  27. P. Naujok, S. Yulin, N. Kaiser, A. Tuennermann. Proc. SPIE, 9422, 94221K (2015). DOI: 10.1117/12.2085764
  28. D. Xu, Q. Huang, Y. Wang, P. Li, M. Wen, P. Jonnard, A. Giglia, I. Kozhevnikov, K. Wang, Z. Zhang, Z. Wang. Opt. Exp., 23 (26), 33018 (2015). DOI: 10.1364/OE.23.033018
  29. J. Peng, Zh. Ouyang. Coatings, 12 (11), 1718 (2022). DOI: 10.3390/coatings12111718
  30. M. Svechnikov. J. Appl. Cryst., 53, 244 (2020). DOI: 10.1107/S160057671901584X
  31. M. Svechnikov. J. Appl. Cryst., 57, 848 (2024). DOI: 10.1107/S1600576724002231