Technical Physics Letters
To authors
Volumes and Issues
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
A new way to increase the Roff Roff/Ron Ron memristor parameter on the example of titanium oxide thin-film structure
Urazbekov A. E.
1, Troyan P. E.
1, Sakharov Yu. V.
1, Sviridenko M. A. 1
1Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia
Email: artur.urazbekov@mail.ru
A method of increasing the parameter of the RoffRoff/RonRon memristor by introducing into its construction an additional electrode of smaller area connected to the lower electrode is proposed. On the example of a memristor based on TiOx with aluminum electrodes it is shown that this method allows to increase Roff Roff/Ron Ron not less than three times. Keywords: Memristor, resistive switching, oxygen vacancies, titanium oxide, thin-film structures.
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams, Nature, 453 (7191), 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
- J. Lee, K. Song, K.Y. Shin, W. Lee, Mater. Sci. Eng. B, 314, 117986 (2025). DOI: 10.1016/j.mseb.2025
- N. Ghenzi, C. Acha, Solid-State Electron., 223, 109033 (2025). DOI: 10.1016/j.sse.2024.109033
- E. Hernandez-Rodri guez, A. Marquez-Herrera, E. Zaleta-Alejandre, M. Melendez-Lira, W. De La Cruz, M. Zapata-Torres, J. Phys. D, 46 (4), 045103 (2012). DOI: 10.1088/0022-3727/46/4/045103
- D. Hasina, A. Mandal, S.K. Srivastava, A. Mitra, T. Som, Small, 21 (7), 2408369 (2025). DOI: 10.1002/smll.202408369
- A.E. Urazbekov, P.E. Troyan, Y.V. Sakharov, J. Radio Electron., N 12 (2023). DOI: 10.30898/1684-1719.2023.12.8
- H. Yeon, P. Lin, Ch. Choi, S.H. Tan, Y. Park, D. Lee, J. Lee, F. Xu, B. Gao, H. Wu, H. Qian, Y. Nie, S. Kim, J. Kim, Nat. Nanotechnol., 15 (7), 574 (2020). DOI: 10.1038/s41565-020-0694-5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.