Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Новый способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron на примере тонкопленочной структуры на основе оксида титана
Ministry of Science and Higher Ed- ucation of the Russian Federation , FEWM 2024-0004
Уразбеков А.Е.
1, Троян П.Е.
1, Сахаров Ю.В.
1, Свириденко М.А.1
1Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия 
Email: artur.urazbekov@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2025 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2025 г.
Принята к печати: 25 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 5 июня 2025 г.
Предложен способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron методом введения в его конструкцию дополнительного электрода меньшей площади, соединенного с нижним электродом. На примере мемристора на основе TiOx c алюминиевыми электродами показано, что данный способ позволяет увеличить Roff/Ron не менее чем в 3 раза. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, кислородные вакансии, оксид титана, тонкопленочные структуры.
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams, Nature, 453 (7191), 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
- J. Lee, K. Song, K.Y. Shin, W. Lee, Mater. Sci. Eng. B, 314, 117986 (2025). DOI: 10.1016/j.mseb.2025
- N. Ghenzi, C. Acha, Solid-State Electron., 223, 109033 (2025). DOI: 10.1016/j.sse.2024.109033
- E. Hernandez-Rodri guez, A. Marquez-Herrera, E. Zaleta-Alejandre, M. Melendez-Lira, W. De La Cruz, M. Zapata-Torres, J. Phys. D, 46 (4), 045103 (2012). DOI: 10.1088/0022-3727/46/4/045103
- D. Hasina, A. Mandal, S.K. Srivastava, A. Mitra, T. Som, Small, 21 (7), 2408369 (2025). DOI: 10.1002/smll.202408369
- А.E. Urazbekov, P.E. Troyan, Y.V. Sakharov, J. Radio Electron., N 12 (2023). DOI: 10.30898/1684-1719.2023.12.8
- H. Yeon, P. Lin, Ch. Choi, S.H. Tan, Y. Park, D. Lee, J. Lee, F. Xu, B. Gao, H. Wu, H. Qian, Y. Nie, S. Kim, J. Kim, Nat. Nanotechnol., 15 (7), 574 (2020). DOI: 10.1038/s41565-020-0694-5
