Изучена возможность использования трехэлектродной системы "полупроводник-газовый разряд" в качестве микрореактора для плазмохимической обработки поверхности полупроводниковых материалов. Система состоит из двух разрядных промежутков, разделенных металлической сеткой, которая является общим электродом. В первом промежутке формируется самостоятельный стационарный таунсендовский разряд. Заряженные частицы разряда проходят сквозь ячейки сетки и двигаются в электрическом поле второго промежутка. Обработка поверхности образца происходит во втором промежутке в результате взаимодействия потока заряженных частиц c полупроводником. Эксперименты проводились в трехэлектродной системе, заполненной аргоном. В качестве образца использовался GaAs. Изменения свойств поверхности определялось с помощью метода спектральной эллипсометрии. Показано, что облучение полупроводника ионами аргона Ar⁺ приводит к очистке поверхности от слоя окисла и образованию измененного приповерхностного слоя толщиной 5-20 nm. Состав слоя представляет собой смесь кристаллического и аморфного GaAs. Ключевые слова: газовый разряд, полупроводник GaAs, модификация свойств поверхности, эллипсометрия.