Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Рябов Д.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Email: ido@ulsu.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V2+S и V+S, с увеличением концентрации центров V+S и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn2+ и V+S после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V+S, сечения фотовозбуждения центров V2+S, коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn2+ и коэффициента умножения электронов в слое люминофора.
- Георгобиани А.Н., Пензин Ю.Г. // Люминесценция. 1963. С. 321--326
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 4. С. 14--21
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 90--99
- Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 9. С. 88--95
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 15. С. 24--32
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 48--58
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 74--83
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 100--112
- Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 6. С. 673--675
- Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А. // Междунар. конф. по люминесценции. Тез. докл. М.: ФИАН, 2001. С. 98
- Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., Полежаев Б.А. // ЖПС. 1991. Т. 55. N 3. С. 452--456
- Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильно легированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция. Док. дис. Черноголовка, 1997. 373 с
- Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 2. С. 126--130
- Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сю Сююнь, Лод Зиндонг // Неорган. матер. 1999. Т. 35. С. 1429--1434
- Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М.: Наука, 1986. 320 с
- Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., Полежаев Б.А. // ЖПС. 1990. Т. 52. N 1. С. 36--39
- Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 1. P. 639--647
- Hitt J.C., Keir P.D., Wager J.F., Sun S.S. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 2. P. 1141--1145
- Гурин Н.Т. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 77--85
- Keir P.D., Maddix C., Baukov B.A., Wager J.F. et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. N 12. P. 6810--6815
- Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 2. С. 64--69
- Shin S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 9. P. 5775--5781
- Zeinert A., Barthou C., Benalloul P., Benoit J. // Semicond. Sci. Technol. 1997. N 12. P. 1479--1486
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: ГИФМЛ, 1963. 264 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
