Размерное травление кремния и диоксида кремния локализованным газовым разрядом
Абрамов А.В., Абрамова Е.А., Суровцев И.С.1
1Воронежский государственный архитектурно-строительный университет, Воронеж, Россия
Email: Abramov@niif.vsu.ru
Поступила в редакцию: 13 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Изучена возможность размерного травления материалов без использования масок с помощью локализованного газового разряда, геометрия которого задается топологией поверхности одного из электродов. Впервые представлены результаты травления таким способом рисунка в пленке SiO2 на Si с разрешением ~ 5 mum. Определены основные параметры, влияющие на разрешающую способность процесса.
- Абрамов А.В., Абрамова Е.А., Суровцев И.С. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 3. С. 45--48
- Данилин Б.С., Киреев В.Ю. // Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. С. 264
- Абрамов А.В., Абрамова Е.А., Дикарев Ю.И. и др. // Сб. науч. тр. "Математическое моделирование ИТС". Воронеж: ВГТА, 2002. Вып. 5. С. 96--100
- Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко Н.А. // Высокочастотный емкостной разряда: Физика. Техника эксперимента. Приложения. М.: Изд-во Московского физ-техн. ин-та, 1995. С. 320
- Mogab C.L., Adams A.C., Flamm D. // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. N 7. P. 3796--3803
- Дикарев Ю.И., Светцов В.И. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983. Вып. 10 (183). С. 41--44
- Владимирова Л.Н., Дикарев Ю.И., Цветков С.М. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. N 1. C. 79--83
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук