Вышедшие номера
Емкость межфазной границы La0.67Sr0.33MnO3/(Ba,Sr)TiO3, индуцированная проникновением электрического поля в манганитный электрод
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Методом лазерного испарения выращены трехслойные гетероструктуры (001) La0.67Sr0.33MnO3|| (001) BaxSr1-xTiO3 ||(001) La0.67Sr0.33MnO3 (x=0,0.25) на монокристаллических подложках (001) La0.3Sr0.7Al0.65Ta0.35O3. В широком (~ 150 K) интервале температур эффективная диэлектрическая проницаемость varepsilon выращенных пленок (1000 nm) Ba0.25Sr0.75TiO3 и (1000 nm) SrTiO3 следовала соотношению varepsilon~(T-TCW)-1, где TCW - температура Кюри-Вейса для соответствующих объемных кристаллов. Используя экспериментальные зависимости varepsilon(T), оценена величина емкости (CInt~ 4 muF/cm2) межфазных границ (001) La0.67Sr0.33MnO3/(001) BaxSr1-xTiO3 и (001) La0.67Sr0.33MnO3/(001) SrTiO3, обусловленной проникновением электрического поля в манганитный электрод. При использовании напряжения смещения ± 2.5 V перенастраиваемость диэлектрической проницаемости слоев STO и BSTO в исследованных гетероструктурах достигала 25 и 45% соответственно.