Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2005, выпуск 7 » Статья стр. 80
<<<>>>
Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением
Грехов И.В., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г., Костина Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
PDF версия
Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада.
  1. Baliga B.J. Power Semiconductor Devices, Boston: PWS Publishing. Company, 1994. 600 p
  2. Baliga B.J., Adler M.S., Love R.P., Gray P.V., Zommer N. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1984. Vol. ED-31. P. 821--828,
  3. Thapar N., Baliga B.J. // IEEE Symp. on Power Semiconductor Devices and Ics, 1994. Abstr. 4.3
  4. Temple V.A.K. // IEEE Trans. Electron Devices. 1986. Vol. ED-33. P. 1609--1618
  5. Bauer F., Hollenbeck H., Stockmeier T., Fihtner W. // IEEE Electron Device Lett. 1991. Vol. EDL-12. P. 297--299
  6. Huang Q., Amartunga A.J., Narayaman E.M.S., Milne W.I. // IEEE Trans. Electron Devices. 1991. Vol. ED-38. P. 1612--1618
  7. Temple V.A.K. // Proc. European Pulse Power Symp. Saint Louis (France). 2002. P. 19/1--19/3
  8. Huang Q. // Report Prepared for Silicon Power Corporation by CPES. Virginia Tech. 2001
  9. Landsberg P.T., Kousik G.S. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56. P. 1696--1699
  10. Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.I., Philatov N.I. // Sol. St. Electron. 1987. Vol. 30. P. 579
  11. Кузьмин В.А., Юрков С.Н. // РиЭ. 1999. Т. 44. N 1. С. 118--121
  12. Кузьмин В.А., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. // РиЭ. 1990. Т. 35. N 11. С. 2389--2390

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme