Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 9 » Статья стр. 76
<<<>>>
Фоточувствительность гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (A3B6)-камедь
Драпак С.И.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: drapak@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 3 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
PDF версия
Расширен диапазон материалов, которые могут использоваться в фоточувствительных структурах за счет привлечения органического вещества биологической природы - камеди. Исследованы вольт-амперные характеристики гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (InSe, GaSe)-камедь. Предпринята попытка связать особенности спектрального распределения относительной квантовой эффективности исследуемых структур (возникновение фоточувствительности за краем собственного поглощения полупроводниковых подложек) с деформационным взаимодействием между конденсированными слоями камеди и поверхностью слоистых полупроводников A3B6. PACS: 81.05.-t
  1. Алфёров Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3--18
  2. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Fernelius N. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 11. С. 1321--1328
  3. Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 6. С. 73--78
  4. Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 3. С. 84--87
  5. Драпак С.И., Нетяга В.В., Прилуцкий Ю.И., Воробец М.О., Ковалюк З.Д. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 11. С. 15--21
  6. Grossl M., Harrison S., Kaml I., Kenndler E. // J. Chromatogr. A. 2005. Vol. 1077. N 1. P. 80--89
  7. Hough L., Pribham J.B. // Biochem. J. 1959. Vol. 73. N 3. P. 550--554
  8. Шипулин В.И., Лупандина Н.Д., Радченко А.Г., Бутенко И.О. // Сб. науч. тр. СевКавГТУ. Сер. "Продовольствие". 2005. N 1. С. 38--48
  9. Кондратьев В.И. Технология лекарственных форм. В 2-х т. М.: Медхимия, 1991
  10. Chen R.J., Bangsaruntip S., Drouvalakis K.A., Kam N.W.S., Shim M., Li Y., Kim W., Utz P.J., Dai H. // PNAS USA. 2003. Vol. 100. N 9. P. 4984--4989
  11. Vallance S.L., Singer B.W., Mitchen S.M., Towsend J.H. // J. Amer. Institute for Conservation. 1998. Vol. 73. N 3. P. 294--311
  12. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N. Y.: Willey-Intersci, 1981. 456 p
  13. Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  14. Martinez-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 4. P. 1477--1483
  15. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с
  16. Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. Вып. 2. С. 190--196
  17. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Тишин Е.А., Чишко В.Ф. // Физическая электроника. 1997. Т. 19. С. 123--126
  18. Wagner H. // Pure and Appl. Chem. 1990. Vol. 62. N 7. P. 1217--1222
  19. Абдуллаев Н.А. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 4. С. 623--629
  20. Tajmir-Riahi H.A. // Can. J. Chem. Rev. 1989. Vol. 67. N 4. P. 651--654
  21. Leusch A., Holan Z.R., Volesky B. // J. Chem. Technol. Biotechnol. 1995. Vol. 62. N 3. P. 279--288
  22. Лопарева Е.А., Гончарова Н.В. // Вестн. ПГУ. Сер. В "Прикладные науки". 2005. N 3. С. 27--31
  23. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Чишко В.Ф. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 9. С. 1045--1049
  24. Соболев В.В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия. Кишинев: Штриинца, 1982. 272 с
  25. Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Украинец В.О. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 11. С. 1356--1360
  26. Balitskii O.A. // Mater. Lett. 2006. Vol. 60. N 5. P. 594--599
  27. Drapak S.I., Bakhtinov A.P., Gavrylyuk S.V., Kovalyuk Z.D., Prylutskyy Yu.I., Matzui L.Yu. // Abstr. E-MRS-IUMRS-ICEM 2006 Spring Meeting Symp. A: Current Trends in Nanoscience --- from Materials to Applications. Nice, 2006. P. A4/28
  28. Spiecker E., Hollensteiner S., Jager W., Schmid A.K., Minor A.M., Dahmen U. // Abstr. E-MRS 2005. Spring Meeting Symp. A: Current Trends in Nanoscience --- from Materials to Applications. Strasbourg, 2005. P. A3/3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme