Особенности флуктуаций тока в негисторных структурах на основе некристаллических пленок системы Ga-Te
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Приведены результаты исследования низкочастотных (до 106 Hz) и сверхвысокочастотных (СВЧ) (на частоте 10 GHz) флуктуаций электрического тока в негисторных структурах типа стеклоуглерод-некристаллическая пленка Ga1-xTex (где x=0.75 или 0.8)-стеклоуглерод. Низкочастотные флуктуации тока исследовались в сильных электрических полях до возникновения электрической неустойчивости, а СВЧ-флуктуации - после образования шнура тока при малых токах поддержки низкоомного состояния. Показано существенное отличие закономерностей этих флуктуаций в рассмотренных структурах от аналогичных закономерностей в ранее исследованных пленочных селеновых негисторах. Согласно результатам анализа, процессы, инициирующие электрическую неустойчивость и формирование шнура тока в рассмотренных структурах, не связаны с проявлением разогрева носителей заряда электрическим полем. Кроме того, выяснено, что в рассмотренном интервале токов поддержки низкоомного состояния поперечные размеры шнура тока практически не изменяются, в то время как электропроводность области шнурования имеет тенденцию увеличиваться с током. Обсуждаются возможные причины этих явлений. PACS: 73.50.Td, 73.61.Jc
- Baleviv cius S. Fast switching in "symmetrical" thin film electronic devices. Habilitation thesis. Vilnius: Semiconductor physics institute, 2002
- А.с. СССР. N 1356922. H01L 45/00. 1986
- А.с. СССР. N 869514. H01L 29/12. H03K 17/70. 1980
- Чеснис А., Карпинскас С.-А., Урбялис А. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 10. С. 58--62
- Адлер Д. // УФН. 1978. Т. 125. N 4. С. 707--730
- Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Цинман Е.А. // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 12. С. 2390--2392
- v Cesnys A., Oginskis A., Gav ska K., and Lisauskas V. // J. Non-Cryst. Solids. 1987. Vol. 90. N 1--3. P. 609--612
- Приходько А.В., Либерис Ю.С., Чеснис А.А., Барейкис В.А. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 8. С. 1650--1655
- Приходько А.В., Чеснис А.А., Барейкис В.А. // ФТП. 1981. Т. 15. Вып. 3. С. 536--541
- v Cesnys A., Juv ska G., and Montrimas E. // Semiconductors and Semimetals. 2004. Vol. 79. P. 15--55
- Чеснис А., Огинскас А., Лисаускас В. // Литовский физический сборник. 1992. Т. 32. N 5. С. 664--675
- Барейкис В., Гальдикас А., Милюшите Р. // Диффузия горячих электронов. Вып. 3. Сер. "Электроны в полупроводниках" / Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1981. С. 127--161
- А.с. СССР. N 627353. G01K 7/30. 1977; А.с. СССР. N 928265. G01R 31/26. 1980
- Чеснис А., Огинскас А., Либерис Ю., Лисаускас В. // Литовский физический сборник. 1983. Т. 23. N 6. С. 75--82
- Chesnys A., Oginskis A.-K. // Lithuanian Physics Journal. 1998. Vol. 38. N 4. P. 324--329
- Chesnys A. and Oginskis A.-K. // Lithuanian Physics Journal. 1994. Vol. 34. N 3. P. 237--239
- Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. // ФТП. 1981. Т. 15. Вып. 8. С. 1511--1518
- Чеснис А. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 5. С. 848--851
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук