Вышедшие номера
Анизотропия электрического пробоя в кристаллическом кварце
Емлин Р.В., Барахвостов С.В., Куликов В.Д.1
1Томский сельскохозяйственный институт, Томск, Россия
Email: vdkulikov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Рассмотрен частичный пробой кристаллического диоксида кремния в импульсном неоднородном электрическом поле. Каналы электрического пробоя ориентированы в плоскостях расположения ионов кремния параллельных оси c кристалла (наблюдается до 6 эквивалентных направлений каналов). Процесс формирования каналов пробоя удовлетворительно описывается в рамках механизма каскадных оже-переходов с учетом кристаллохимической симметрии решетки кварца. PACS: 52.80.-s, 52.80.Wq