"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Функция пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар при однофотонном возбуждении прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.1
1Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Для случая однофотонного возбуждения прямозонных полупроводников, когда одновременно реализуются линейный, квадратичный и кубический механизм рекомбинации выполнены расчеты функции пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар по глубине кристалла. Проведен анализ полученных результатов. Предложен простой способ аппроксимации функции пространственного распределения неравновесных носителей заряда вблизи границы кристалла.
  • В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко. ФТТ, 20, 2144 (1978)
  • В.А. Батырев, П.Г. Лукашевич. ФТП, 23, 550 (1989)
  • С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  • В.А. Зуев, В.Г. Попов. \it Фотоэлектрические МДП приборы (М., 1983)
  • П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., 1975)
  • П.Г. Лукашевич, В.Н. Павловский, В.А. Самойлюкович. ФТП, 23, 578 (1989)
  • В.П. Грибковский, Г.П. Яблонский, П.Г. Лукашевич. ФТП, 8, 2210 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.