"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Интерфейсные электронные состояния вблизи плавного гетероперехода HgTe--CdTe
Германенко А.В.1, Миньков Г.М.1, Ларионова В.А.1, Рут О.Э.1
1Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Анализируется влияние ширины гетероперехода в структурах HgTe--CdTe на спектр двумерных интерфейсных состояний. Показано, что уширение гетероперехода улучшает условия локализации таких состояний, понижая их энергию.
  • D.L. Smith, C. Maihiot. Rev. Mod. Phys., 62, 173 (1990)
  • Y.R. Lin-Liu, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 32, 5561 (1985)
  • Р.А. Сурис. ФТП, 20, 2008 (1986)
  • L.G. Gerdhikov, A.V. Subashiev. Phys. Sol. (b), 160, 443 (1990)
  • Б.А. Волков, О.А. Панкратов. Письма ЖЭТФ, 42, 145 (1985)
  • М.И. Демьянов, А.В. Хаецкий. Письма ЖЭТФ, 33, 115 (1981)
  • А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21, 866 (1987)
  • М.В. Кисин. ФТП, 23, 292 (1989)
  • N.F. Johnson, P.M. Hui, H. Ehrenreich. Phys. Rev. Lett., 61, 1993 (1988)
  • Г.М. Миньков, О.Э. Рут, В.А. Ларионова, А.В. Германенко. ЖЭТФ, 105, 719 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.