Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 6 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150oC) осажденных на Si пленок SiOx и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450oC в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO2 и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO2.
- L. Dal Negro, J.H. Yi, M. Hiltumen, J. Michel, L.C. Kimerling, S. Hamel, A.J. Williamson, G. Galli, T.-W.F. Chang, V. Sukhovatkin, E.H. Sargent. J. Experimental Nanoscience, 1 (1), 29 (2006)
- Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник, Д.В. Гамов, В.А. Юхимчук, А.С. Оберемок, А.А. Григорьев, И.М. Хацевич, Г.В. Калистый. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, под ред. С.В. Свечникова (Киев, Наук. думка, 2007) вып. 42, с. 96
- Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов. ФТП, 39 (5), 582 (2005)
- N. Daldosso, G. Das, G. Larcheri, G. Mariotto, G. Dalba, L. Pavesi, A. Irrera, F. Priolo, F. Iacona, F. Rocca. J. Appl. Phys., 101, 113 510 (2007)
- Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, В.А. Бурдов, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов, А.И. Ковалев. ФТТ, 46 (1), 21 (2004)
- D. Pacifici, A. Irrera, G. Franzo, M. Miritello, F. Iacona, F. Priolo. Physica E, 16, 33 (2003)
- Xiaochum Wu, A.M. Bittner, K. Kern, Ch. Eggs, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 77 (5), 645 (2000)
- M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80 (9), 1637 (2002)
- A.R. Wilkinson, R.G. Elliman. J. Appl. Phys., 96 (7), 4018 (2004)
- S.B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
- И.М. Купчак, Ю.В. Крюченко, Д.В. Корбутяк, А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун. ФТП, 42 (10), 1213 (2008)
- Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, Р.И. Марченко, Н.И. Клюй, В.П. Мельник, А.Ю. Прокофьев, А.А. Евтух, Ю.В. Голтвянский, В.В. Андриевский, Д.Н. Москаль, С.И. Фролов. Укр. физ. журн., 38 (4), 589 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
