Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм переноса тока в инжекционном фотодиоде на основе структуры In-n⁺-CdS-n-CdS_xTe_1-x- p-Zn_xCd_1-xTe-Mo

Мирсагатов Ш.А.¹, Лейдерман А.Ю.¹, Атабоев О.К.²

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

²Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан Berdakh Karakalpak State University, Nukus, Uzbekistan

Email: mirsagatov@uzsci.net

Поступила в редакцию: 1 февраля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе полупроводников A²B⁶ создана пленочная фоточувствительная структура In-n⁺-CdS- n-CdS_xTe_1-x-p-Zn_xCd_1-xTe-Mo для диапазона длин волн lambda=0.49-0.855 mum. Такая структура в пропускном направлении при больших напряжениях смещения работает как инжекционный фотодиод и имеет высокую интегральную чувствительность S_int~700 A/lm (14 500 A/W) при комнатной температуре. Обнаружено, что при малых уровнях освещенности и малых прямых напряжениях смещения (0.05-0.5 V) в такой структуре диффузионные и дрейфовые потоки неравновесных носителей направлены навстречу друг другу. Этот эффект приводит к появлению инверсии знака фототока, что позволяет на основе данной структуры создавать селективные фотоприемники с инжекционными свойствами. При обратных направлениях фототока структура также работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока, однако интегральная чувствительность в этом режиме намного меньше, чем при пропускном направлении тока. Работа выполнена в рамках грантов Ф3-ФА-0-56434, Ф3-ФА-Ф063 Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана.

Ш.А. Мирсагатов, Б.У. Айтбаев, В.М. Рубинов. ФТП 30, 550 (1996)
А.Н. Зайдель. Основы спектрального анализа. Наука, М. (1965). 322 с
Н.В. Пароль, С.А. Кайдалов. Фоточувствительные приборы и их применение. Радио и связь, М. (1991). 112 с
Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин, М.С. Баиев. Изв. вузов. Физика 55, 2, 47 (2012)
Ш.А.Мирсагатов, О.К. Атабоев, К.А. Исмоилов. Материалы 4-й Междунар. науч.-практ. конф. "Структурная релаксация в твердых телах". Винница (2012). С. 236
С.М. Фриш. Оптические методы измерения. Ч. 1. Световой поток и его измерения. Источник света. Изд-во ЛГУ, Л. (1976). С. 26
С.А. Музаффарова, Б.У. Айтбаев, Ш.А. Мирсагатов, К. Дуршимбетов, Ж. Жанабергенов. ФТП 42, 1409 (2008)
K. Zanio. Semiconductors and semimetals. Acad. Press, N. Y. (1978). 210 p
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solils. Academic Press, N. Y.--London (1970). 416 p
В.И. Стафеев. ФТТ 1, 841 (1959)
И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП 42, 113 (2008)
В.И. Стафеев. ФТТ 3, 2513 (1961)
И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов. Сов. радио, М. (1980). 296 с
В.И. Стафеев. Фотоприемники ИК диапазона на основе Cd_xHg_1-xTe, на примесных полупроводниках (Ge и Si) и УФ-диапазона на основе соединений A³B⁵. 35 лет работы в НИИ прикладной физики (1970-2005). Орион, М. (2008). 103 с
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Solid State Commun. 25, 781 (1978)
Н.М. Викулин, У.А. Запорожченко, Л.Ф. Викулина, М.А. Глауберман. РЭ 19, 2123 (1974)
П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. ФАН, Ташкент (1981). С. 74
А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. Сов. радио, М. (1970). 392 с
П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман, Ф.Я. Рабинович. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. 3, 47 (1972)
А.Ю. Лейдерман, П.М. Карагеоргий-Алкалаев. ДАН УзССР 2, 39 (1976)
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Phys. Status Solidi A 51, 63 (1979)
P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 34, 391 (1976)
А.А. Абакумов, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, И.З. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП 10, 486 (1976)
В.В. Морозкин. ДАН УзССР 11, 39 (1979)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ДАН Узбекистана 5, 23 (2008)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП 43, 436 (2009)
Х.Х. Исмоилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ 50, 1953 (2008)
Ш.Н. Усмонов, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТП 44, 330 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель