Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 1995, выпуск 3
<<<
>>>
Физика твердого тела, 1995, том 37, выпуск 3
Юнусов М.С., Оксенгендлер Б.Л., Ахмадалиев А., Джуманов С.
Концепция самокомпенсации в проблеме d-примесей в полупроводниках
593
Стеценко Ф.И.
Температурно-временная релаксация намагниченности и микромагнитные параметры ансамблей однодоменных частиц
598
Демишев С.В., Ищенко Т.В., Пирогов Ф.В.
Моделирование твердофазной аморфизации как процесса генерации структурных дефектов
608
Филинов В.С., Подлубный Л.И.
О локализации электронов в аморфных средах во внешнем поле
623
Григорчук Н.И.
Влияние затухания и пространственной дисперсии на смещение экстремумов резонансного отражения света в кристаллах
636
Васьков Р.Е., Моос Е.Н.
Граничные условия в модифицированной модели желе
647
Рандошкин В.В.
Зависимость скорости доменных стенок от магнитного поля в одноосных пленках феррит-гранатов с разным затуханием
652
Кудинов А.В., Кусраев Ю.Г., Якимович В.Н.
Поляризованная люминесценция CdMnTe во внешнем магнитном поле
660
Щедрина Н.В., Щедрин М.И.
О температурных аномалиях поглощения звука при учете дисперсии критических флуктуаций, связанной с упругим рассеянием на точечных дефектах
667
Закревский В.А., Орлова Т.С., Шульдинер А.В.
Влияние деформации на термостимулированную люминесценцию облученных кристаллов LiF
675
Кабыченков А.Ф.
Параметрическое возбуждение и усиление спиновых волн световым полем с дискретным спектром
682
Морозов А.И., Сигов А.С.
Квантовая диффузия легкой частицы на поверхности кристалла
691
Власова Р.М., Дроздова О.О., Любовская Р.Н., Семкин В.Н.
Электронная структура и электронно-колебательное взаимодействие в новых органических проводниках (ET)
2
[Hg(SCN)Cl
2
] и (ET)
2
[Hg(SCN)
2
Br] с переходом металл--диэлектрик: оптическое исследование
703
Резницкий Л.А.
Энтропии плавления металлов
721
Береснев В.И., Филиппов Б.Н.
Статические и динамические свойства пар и кластеров вертикальных блоховских линий
725
Бойчук В.И., Билынский И.В.
Исследование интерфейсных поляронных состояний простой гетероструктуры полупроводников
734
Шабанов В.Ф., Коршунов М.А.
Расчет энергии миграции и образования вакансий в парадибромбензоле и парадихлорбензоле alpha- и beta-модификаций
745
Зарубин И.А., Пирог И.В., Шуваев А.Т.
Исследование характера сегнетоэлектрического фазового перехода в Na
2
Sr
4
Nb
10
O
30
748
Смирнова Е.П., Сотников А.В., Юшин Н.К.
Петли переполяризации в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом
752
Баженов А.В., Горбунов А.В., Резчиков К.Б.
Фотоиндуцированные оптические фононы в монокристаллах La
2
CuO
4
760
Гребенников В.И., Соколов О.Б.
Дифракция вторичных электронов и протяженная тонкая структура спектров в твердом теле
773
Белов Р.К., Володин Б.А., Воробьев А.К., Вышеславцев П.П., Гусев С.А., Дроздов Ю.Н., Клюенков Е.Б., Ноздрин Ю.Н., Таланов В.В.
Транспортные свойства и структура тонких ВТСП пленок системы YBa
2
Cu
3
O
7-delta
/ ZrO
2
:Y/alpha-Al
2
O
3
при магнетронном методе напыления
785
Слуцкер А.И., Мирзоев О.
Гистерезисы в обратимом деформировании полимерных кристаллических решеток
799
Зарипов М.М., Тарасов В.Ф., Уланов В.А., Шакуров Г.С., Попов М.Л.
Ян-Теллеровские ионы хрома в кристаллах SrF
2
: изучение методом ЭПР в диапазоне 9.3--300 GHz
806
Гатауллин О.Ф., Жеглов Е.П., Рыжманов Ю.М.
Изучение методом ЭПР примесных центров Cu
2+
в решетке KH
2
PO
4
и KD
2
PO
4
814
Горев М.В., Бовина А.Ф., Бондаренко Г.В., Флеров И.Н., Трессо,-=SUP=-1-=/SUP=- А., Граннек-=SUP=-1-=/SUP=- Ж.
Исследование твердых растворов Rb
2
KSc
1- x
Ga
x
F
6
819
Бабонас Г.-Ю., Дагис Р., Крегжде В., Пукинскас Г., Леонюк Л.И., Веткин А.Г.
Оптические спектры соединений LnBa
2
Cu
3
O
z
824
Новиков В.В., Познанский О.П.
Напряжение пробоя в перколяционных системах
830
Гейлер В.А., Маргулис В.А., Чучаев И.И.
Рассеяние носителей заряда на точечных дефектах в полупроводниковых структурах
837
Акчурин М.Ш., Галстян В.Г., Регель В.Р.
Формирование нанокристаллического состояния при действии сосредоточенной нагрузки
845
Новомлинский Л.А., Нарымбетов Б.Ж., Зверьков С.А., Шехтман В.Ш., Буш А.А., Романов Б.Н., Иванов С.А., Журов В.В.
Рентгенодифракционные исследования сильнодефектных монокристаллов Bi
4
Sr
4
CaCu
3
O
z
852
Бойчук В.И., Войцехивская О.Н., Головацкий В.А., Ткач Н.В.
Спектр заряженной частицы в тонкой полупроводниковой пленке, контактирующей с массивными кристаллами произвольных проницаемостей
861
Вагапова Ф.С., Сабурова Р.В.
Акустическая восприимчивость двухуровневых упругих дипольных центров в кристаллах
872
Бойков Ю.А., Иванов З.Г., Олсон,-=SUP=-1-=/SUP=- Е., Данилов В.А., Клаесон,-=SUP=-1-=/SUP=- Т., Щеглов М., Эртс -=SUP=-2-=/SUP=- Д.
Причины формирования кристаллитов, ориентированных осью c параллельно плоскости подложки, в пленках YBa
2
Cu
3
O
7- x
880
Королева Л.И., Машаев М.Х., Одинцов А.Г., Сайфуллаева Д.А.
Возможность существования афмонов в антиферромагнитных полупроводниковых твердых растворах xCoCr
2
S
4
- (1- x)CuCr
1.5
Sb
0.5
S
4
( x= 0.25, 0.5)
894
Игнатюк В.А., Гончарук В.К., Меркулов Е.Б., Шушпанова Л.С., Колесов А.В.
Особенности электрических и диэлектрических свойств фтороцирконатных стекол
901
Хасанов Б.М.
Критические свойства при фазовом переходе изотропная жидкость--нематик с дислокациями и точечными дефектами
904
Шуваев А.Т., Власенко В.Г.
Рентгеноспектральное исследование электронной структуры SmB
6
и EuB
6
908
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук