Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 1998, выпуск 5
<<<
>>>
Физика твердого тела, 1998, том 40, выпуск 5
Материалы конференции
series Вступительное слово академика series Ж. И. А л ф е р о в а
787
series Слово об учителе академика series Б. П. З а х а р ч е н и
789
Singh Jai
On the Validity of Haynes Rule for the Binding of Excitonic Complexes in Low Dimensions
794
Муманис Х., Сейсян Р.П., Сасин М.Э., Гиббс Х.М., Кавокин А.В., Кохановский С.И., Хитрова Г.
Аномальное поведение экситонов на легких дырках в напряженных гетероструктурах (In, Ga)As/GaAs
797
Кавокин К.В., Меркулов И.А., Яковлев Д.Р.
Магнитные поляроны в гетероструктурах на основе полумагнитных полупроводников
800
Криволапчук В.В., Мазуренко Д.А., Москаленко Е.С., Полетаев Н.К., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т.
Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
803
Кулаковский В.Д., Кулик Л.В., Яблонский А.Л., Дзюбенко А.Б., Гиппиус Н.А., Тиходеев С.Г., Форхел А.
Магнито-экситоны в приповерхностных квантовых ямах: эксперимент и теория
806
Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Тенишев Л.Н., Корниевский А.В., Вербин С.Ю., Иванов С.В., Сорокин С.В., von der Osten W., Stolz H., Jutte M.
Динамика экситонов в структурах с квантовыми ямами ZnCdSe / ZnSe
809
Платонов А.В., Яковлев Д.Р., Кочерешко В.П., Zehnder U., Ossau W., Faschinger W., Landwehr G.
Оптические исследования квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур на основе соединений ZnSe/ZnMgSSe
811
Турчинович Д.Б., Кочерешко В.П., Яковлев Д.Р., Оссау В., Ландвер Г., Войтович Т., Карчевский Г., Коссут Я.
Трионы в структурах с квантовыми ямами с двумерным электронным газом
813
Щербаков А.В., Акимов А.В., Кочерешко В.П., Yakovlev D.R., Ossau W., Landwehr G., Wojtowicz T., Karczewski G., Kossut J.
Воздействие неравновесных фононов на экситонную люминесценцию в квантовых ямах CdTe / CdMnTe
816
Агеев Д.А., Алесковский В.Б., Бисенгалиев Р.А., Губайдуллин В.И., Дрозд В.Е., Новиков Б.В., Савченко А.П.
Молекулярное наслаивание 2D-пленок и сверхрешеток на основе A
2
B
6
820
Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Ефимов Ю.П., Игнатьев И.В., Недокус И.А.
Проявление резонансного Gamma-X-смешивания в градиентных короткопериодных GaAs/AlAs-сверхрешетках
822
Кособукин В.А.
К теории поглощения света экситонами в структурах с квантовыми ямами
824
Сапега В.Ф., Руф Т., Кардона М., Гран Х.Т., Плоог К.
Исследование резонансного туннелирования экситонов в сверхрешетках GaAs/AlAs в электрическом поле методом рамановской спектроскопии
827
Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Цветков В.А.
Экситонные спектры полупроводниковых сверхрешеток в параллельном магнитном поле
830
Тимофеев В.Б., Тартаковский А.И., Филин А.И., Birkedal D., Hvam J.
Прямые и пространственно непрямые экситоны в GaAs/AlGaAs-сверхрешетках в сильном магнитном поле
833
Торопов А.А., Шубина Т.В., Иванов С.В., Сорокин С.В., Лебедев А.В., Копьев П.С., Позина Г.Р., Бергман П., Монемар Б.
Динамика локализованных экситонов в выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии сверхрешетке с субмонослоями CdSe
837
Grundmann M., Heitz R., Bimberg D.
Carrier statistics in quantum dot lasers
839
Ledentsov N.N.
Excitonic waveguiding and lasing in wide bandgap semiconductor matrices
843
Oka Yasuo
Excitonic effects in diluted magnetic semiconductor nanostructures
846
Ruvimov S., Liliental-Weber Z., Washburn J., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D.
Structural characterization of self-organized nanostructures
849
Акопян И.Х., Новиков Б.В., Соболева С.А.
Исследование фазового состава микрокристаллов AgI методами экситонной спектроскопии и дифференциальной сканирующей калориметрии
852
Васильев Д.Г., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Кудряшов И.В., Кочерешко В.П.
Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs
855
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ивченко Е.Л., Коренев В.Л., Кусраев Ю.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф.
Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в квантовых точках
858
Липовский А.А., Колобкова Е.В., Петриков В.Д.
Влияние спин-орбитального расщепления на электронно-дырочные переходы в микрокристаллах CdS, CdTe
862
Madrigal-Melchor J., Perez-Rodriguez F., Silva-Castillo A., Azucena-Coyotecatl H.
Manifestation of near-surface localized excitons in spectra of diffuse reflection of light
865
Астахов Г.В., Кочерешко В.П., Платонов А.В., Яковлев Д.Р., Оссау В., Фашингер В., Ландвер Г.
Поляритонные спектры отражения от тонких слоев ZnS
x
Se
1-x
867
Алиев Г.Н., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П.
Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs "доквантового" предела
869
Глинский Г.Ф., Кравченко К.О.
Оптика экситонов в системах с резкими гетерограницами. Приближение сильно локализованной волновой функции экситона
872
Бисенгалиев Р.А., Батырев Э.Д., Новиков Б.В., Селькин А.В.
Спектры фотоотражения и фотопроводимости кристаллов CdS: экситоны в электрических полях поверхностных состояний
875
Морозова В.А., Вавилов В.С., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Чукичев М.В.
Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка
877
Новиков А.Б., Новиков Б.В., Роппишер Г., Селькин А.В., Штайн Н., Юферев Р.Б., Бумай Ю.А.
Экситоны в предионизационном электрическом поле барьера Шоттки
879
Ракович Ю.П., Гурский А.Л., Смаль А.С., Гладыщук А.А., Хамади Х., Яблонский Г.П., Хойкен М.
Структура полосы излучения свободных экситонов в гетероэпитаксиальных слоях ZnSe/GaAs
881
Романовский С.О., Селькин А.В., Стамов И.Г., Феоктистов Н.А.
Экситоны в кристаллах ZnP
2
в электрическом поле барьера Шоттки
884
Федоров Д.Л., Денисов Е.П., Тенишев Л.Н., Чернышов М.Б., Кузнецов П.И., Якущева Г.Г.
Экситоны в гетероэпитаксиальных структурах CdSe/CdS
887
Клочихин А.А.
Собственная люминесценция аморфных и неупорядоченных кристаллических систем
890
Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Breitkopf T., Westphaling R., Klingshirn C.
Диффузия экситонов в твердых растворах CdS--Se и ZnSe--Te при высоких уровнях возбуждения
892
Кудинов А.В., Кусраев Ю.Г., Захарченя Б.П., Якимович В.Н.
Анизотропия кубических полумагнитных твердых растворов Cd
1-x
Mn
x
Te и энергия экситонного магнитного полярона из спектров поляризованной люминесценции
894
Пермогоров С.А., Суркова Т.П., Тенишев Л.Н.
Экситонная люминесценция твердых растворов Cd
1-x
Fe
x
Te
897
Резницкий А.Н., Корниевский А.В., Киселев А.А., Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Вербин С.Ю., Тенишев Л.Н., Gerlach H., Hetterich M., Grun M., Klingshirn C.
Оптическая и тепловая ориентация локализованных экситонов в твердых растворах при резонансном возбуждении в продольном магнитном поле
900
Savchenko E.V., Ogurtsov A.N., Grigorashchenko O.N.
Lattice rearrangement induced by excitons in cryocrystals
903
Вихнин В.С., Каппхан С.
Вибронный экситон с переносом заряда: возможная природа необычных свойств виртуальных перовскитоподобных сегнетоэлектриков
907
Намозов Б.Р., Фоминич М.Э., Мюрк В.В., Захарченя Р.И.
Структура люминесценции автолокализованного экситона в кристаллах alpha-Al
2
O
3
910
Роткин В.В., Сурис Р.А.
ВУФ плазменный френкелевский экситон: элементарное возбуждение полимеризованного фуллерена
913
Хижняков В., Сельг М., Неведров Д.
Релаксация и горячая люминесценция в твердом Xe
916
Hanamura Eiichi
Weak localization and nonlinear optical responses of exciton polaritons
919
Naka N., Hasuo M., Nagasawa N.
Two-photon photo-voltaic spectroscopy on wannier excitons in Cu
2
O
921
Москаленко С.А., Павлов В.Г., Мисько В.Р.
Экситонные полосы поглощения и усиления света в присутствии лазерного излучения
924
Пасечник О.Ф., Хаджи П.И.
Особенности оптической бистабильности в экситон-биэкситонной системе
927
Рогачев А.А.
Экситонные молекулы и экситонные жидкости в полупроводниках
929
Хаджи П.И., Гайван С.Л.
Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при резонансном возбуждении экситонов и биэкситонов
932
Хаджи П.И., Ткаченко Д.В.
Экситонные восприимчивости полупроводников при высоких уровнях лазерного возбуждения
934
Якобсон M.A., Нельсон Д.К., Калинина Е.В.
Влияние электрического поля и высокой плотности возбуждения на люминесценцию эпитаксиальных пленок GaN
936
Байрамов Б.Х., Гольцев А.В., Топоров В.В., Филлипс Р.Т., Лайхо Р., Деттмер К.
Резонансное рассеяние Мандельштама--Бриллюэна и комбинационное рассеяние света в полупроводниках с промежуточными экситонными состояниями, принадлежащими дискретным экситонным зонам и непрерывному спектру
938
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Ботов О.Э., Карасенко Н.В., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В.
Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS
941
Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А.
Влияние образования горячих экситонов на квантовую эффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования в полупроводниках A
III
B
V
944
Гриднев В.Н., Кричевцов Б.Б., Павлов В.В., Писарев Р.В., Ржевский А.А.
Эффекты пространственной дисперсии в магнитооптике
946
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук