Вышедшие номера
Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiC
Бойко М.Е.1, Шарков М.Д.1, Бойко А.М.1, Нестеров С.И.1, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.e.boiko@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Доменная структура пленок гексагональных полупроводников GaN/SiC исследована методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с целью определения возможных конфигураций доменов в пленке GaN/SiC, способных повлиять на свойства лазера на ее основе. В результате обработки спектров малоуглового рассеяния рентгеновских лучей согласно моделям Порода и Брэгга получены данные о таких особенностях образцов, как геометрические свойства кластеров и расстояния в сверхструктурах (слоях, сверхрешетках) соответственно. Предложена модель регулярной сетки доменных стенок в пленке GaN/SiC. Подтверждена гипотеза о формировании нитевидных структур вблизи интерфейса пленки-подложки.