В полупроводниковых сплавах n-Bi_0.93Sb_0.07 на образцах с различной концентрацией электронов (n₁=8·10¹⁵ cm^-3, n₂=1.2·10¹⁷ cm^-3, n₃=1.9·10¹⁸ cm^-3) измерены зависимости сопротивления от магнитного поля величиной до 45 T, параллельного току и биссекторной оси ( H|| C₁|| j), при температурах 1.5, 4.5, 10 K. На полученных зависимостях rho₂₂(H) наблюдаются квантовые осцилляции сопротивления (эффект Шубникова-де Гааза), причем в больших магнитных полях наблюдается максимум сопротивления, далеко отстоящий от остальных максимумов. В предположении, что этот максимум связан со спиново-расщепленным уровнем Ландау N=0^- для электронов главного эллипсоида, вычислены параметры спинового расщепления для электронов главного эллипсоида: gamma₁=0.87, gamma₂=0.8, gamma₃=0.73. Используя эти значения, можно надежно связать максимумы осцилляций с номерами расщепленных уровней Ландау для электронов главного и побочных эллипсоидов. В поперечном магнитном поле при H|| C₁ и j|| C₂ на образце с концентрацией электронов n₄=1.4·10¹⁷ cm^-3 измерены зависимости сопротивления rho₁₁ и коэффициента Холла R_31.2 от магнитного поля. C помощью аналогичного анализа определен параметр спинового расщепления gamma₄=0.85, что близко к значению gamma₂=0.8, полученному для образца с близкой концентрацией (n₂=1.2·10¹⁷ cm^-3) при измерениях в продольном магнитном поле. Максимумы квантовых осцилляций коэффициента Холла R_31.2 смещены в область больших магнитных полей по сравнению с максимумами квантовых осцилляций сопротивления rho₁₁.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.