Структура и фазовые переходы твердых растворов цирконата-гафната свинца
Кабиров Ю.В.1, Куприянов М.Ф.1, Петрович Э.В.1, Дуймакаев Ш.И.1, Пономаренко В.О.1
1Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: salv62@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Методом твердофазного синтеза из простых оксидов приготовлены твердые растворы двух антисегнетоэлектриков - цирконата и гафната свинца PbZr1-xHfxO3, x=0, 0.3, 0.5, 0.7, 1. Элементный состав образцов и их структура изучены методами рентгенофлуоресцентного анализа и рентгеновской дифракции. Определены фазовые изменения твердых растворов в области температур 20<t<300oC. Работа поддержана грантом РФФИ N 10-03-00189-a.
- G. Shirane, E. Sawaguchi, A. Takeda. Phys. Rev. 80, 485 (1950).S
- G. Shirane, R. Pepinsky. Phys. Rev. 91, 812 (1953)
- Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. Пьезоэлектрическая керамика. Мир, М. (1974). 288 с
- D.L. Corker, A.M. Glazer, W. Kaminsky, R.W. Whatmore, J. Dec, K. Roleder. Acta Cryst. B 54, 18 (1998)
- Н.Г. Леонтьев, Р.В. Колесова, В.В. Еремкин, О.Е. Фесенко, В.Г. Смотраков. Кристаллография 29, 2, 395 (1984)
- P.D. Dernier, J.P. Remeika. Mater. Res. Bull. 10, 3, 187 (1975)
- H. Fujishita, Y. Ishikawa. Ferroelectrics 269, 1, 135 (2002)
- L. Goulpeau, S. LeMontagner, P. Limou. C.R. Acad. Sci. (Paris) 259, 1095 (1964)
- И.Г. Ким, О.Е. Фесенко, В.Г. Смотраков. Кристаллография 34, 1480 (1989)
- Z. Ujma, J. Handerek, D. Dmytrow, M. Pawelczyk. Ferroelectrics 89, 201 (1989)
- R.D. Shannon, C.T. Prewitt. Acta. Cryst. B 25, 5, 925 (1969)
- Ю.М. Гуфин. Структурные фазовые переходы. Наука, М. (1982). 304 с
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, И.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.