Исследована степень циркулярной поляризации фотолюминесценции образцов с квантовыми ямами GaAs/AlGpAs, выращенных с прерыванием роста на обоих интерфейсах и в условиях обычного роста. Обнаружено, что при низкой (4.2 K) температуре измерений в образце, выращенном с прерыванием роста, наблюдаются существенные различия в величине циркулярной поляризации, измеренной при различных энергиях детектирования в пределах спектрального контура полосы люминесценции, в то время как в образце, выращенном в обычном режиме, этот эффект не наблюдается. При повышении температуры образца до 77 K этот эффект исчезает. Наблюдаемое поведение объясняется в рамках модели, учитывающей существенно различную степень локализации носителей в островках роста (формирующихся на интерфейсах структуры), пространственные размеры которых определяются конкретными условиями роста образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.