Приведены результаты исследования температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов соединений TlInSe₂ и TlGaTe₂, необлученных и облученных электронами с энергией 4 MeV дозой 10¹⁶ cm^-2. Установлено, что облучение электронами приводит к уменьшению значений удельной электропроводности sigma и диэлектрической проницаемости varepsilon во всей исследованной области температур (90-320 K). Обнаружено, что в монокристаллах TlInSe₂ и TlGaTe₂ имеет место характерная для этого типа кристаллов последовательность фазовых переходов, проявляющаяся на температурных зависимостях sigma=f(T) и varepsilon=f(T) в виде аномалий. Облучение кристаллов электронами дозой 10¹⁶ cm^-2 не влияет на температуры фазовых переходов исследованных кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.