Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2011, выпуск 3 » Статья стр. 579
<<<>>>
Исследование морфологии ван-дер-ваальсовой поверхности монокристалла InSe
Дмитриев А.И.1, Вишняк В.В.2, Лашкарев Г.В.1, Карбовский В.Л.2, Ковалюк З.Д.1, Бахтинов А.П.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, Киев, Украина
Email: dmitr@pms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
PDF версия
Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована морфология ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) слоистого монокристалла In1.03Se0.97 при разных способах ее приготовления. Предположено, что поверхность Ван-дер-Ваальса, приготовленная при помощи адгезивной ленты, окисляется на воздухе в результате хемосорбции кислотных агентов оборванными связями металла и селена. Вольт-амперные характеристики туннельного тока позволяют утверждать, что состав естественных окислов представляет собой смесь фаз оксида In2O3 и широкозонных окислов селена. Сканирование туннельным микроскопом поверхности InSe, полученной скалыванием и последующей экспозицией на воздухе в течение порядка 2 min, вызывает поверхностное упорядочение в виде гофра сложного профиля с тонкой структурой. Последнее отражает перераспределение плотности заряда после хемосорбции на ней молекул газов из воздуха и релаксации этой поверхности в состояние с минимальной энергией. На ван-дер-ваальсовой поверхности InSe (0001), полученной скалыванием в бескислородной среде, наблюдаются атомы базисной плоскости. Гофрирование поверхности отсутствует. Точечные дефекты вызывают возмущение периодического потенциала монокристалла, которое распространяется на расстояние до 4 периодов решетки и выглядит как затенение. Предложен способ получения оксидных наноструктур In2O3 на поверхности монокристалла слоистого полупроводника InSe с использованием зонда атомного силового микроскопа в качестве наноиндентора. Способность зонда работать как в газообразных, так и в жидких средах существенным образом расширяет возможности метода.
  1. Г.В. Лашкарев, А.И. Дмитриев, А.А. Байда, З.Д. Ковалюк, М.В. Кондрин, А.А. Пронин. ФТП 37, 2, 145 (2003)
  2. В.М. Каминский, З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский, М.В. Товарницкий. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 20, 11, 1921 (1984)
  3. А.И. Дмитриев, Г.В. Лашкарев, З.Д. Ковалюк, В.И. Лазоренко, Д.А. Федорченко. УФЖ 35, 3, 400 (1990)
  4. Н.Б. Брандт, В.А. Кульбачинский, З.Д. Ковалюк, Г.В. Лашкарев. ФТП 21, 6, 1001 (1987)
  5. A.I. Dmitriev, Z.D. Kovaljuk, G.V. Lashkarev, V.I. Lazorenko. Phys. Status. Solidi B 162, 1, 225 (1990)
  6. A.I. Dmitriev, G.V. Lashkarev, D.A. Fedorchenko. Proc XVIII Int. Cond. on Infrared and Millimeter Waves. Colchester (1993). P. 226
  7. A.I. Dmitriev, G.V. Lashkarev, V.K. Kiselyev, V.K. Kononenko, E.M. Kuleshov. Int. J. Infrared Millimetre Waves 16, 775 (1995)
  8. А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен. Конденсированные среды и межфазные границы 1, 2, 190 (1999)
  9. T. Ohta, A. Klust, J.A. Adams, Q. Yu, M.A. Olmstead, F.S. Ohuchi. Phys. Rev. B 69, 125 322 (2004)
  10. O. Lang, A. Klein, C. Pettenkofer, W. Jaegermann, A. Chevy. J. Appl. Phys. 80, 3817 (1996)
  11. E. Wisotzki, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Solid Films 380, 263 (2000)
  12. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк. Письма в ЖТФ 33, 2, 80 (2007)
  13. С.И. Драпак, С.В. Гаврилюк, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП 42, 4, 423 (2008)
  14. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП 44, 2, 180 (2010)
  15. S.I. Drapak, A.P. Bakhtinov, S.V. Garvrylyuk, Z.D. Kovalyuk, O.S. Lytvyn. Superlattices Microstruct. 44, 563 (2008)
  16. Z.D. Kovalyuk, A.P. Bakhtinov, V.N. Vodop'yanov, A.V. Zaslonkin, V.V. Netyaga. In: Carbon nanomaterials in clean enerhy hydrogen systems / Eds B. Baranowski, S.Yu. Zaginaichenko, D.V. Schur, V.V. Skorokhod, A. Veziroglu. Springer, Netherlands (2009). P. 765
  17. А.П. Бахтинов, З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, О.С. Литвин. ФТП 49, 8, 1497 (2007)
  18. D.A. Bonnell, J. Garra. Rep. Prog. Phys. 71, 155 308 (2008)
  19. K. Uosaki, M. Koinuma. J. Appl. Phys. 74, 1675 (1993)
  20. K. Uosaki, M. Koinuma. Electroanal. Chem. 357, 301 (1993)
  21. T. Hayashi, K. Ueno, K. Saiki, A. Koma. J. Cryst. Growth 219, 115 (2000)
  22. Z. Zarbaliev. Fizika CiLD X,, 3, 8 (2004)
  23. А.И Дмитриев, Г.В. Лашкарев, З.Д. Ковалюк. Наносистеми, наноматерiали, нанотехнологii, 4, 2, 407 (2006)
  24. D.H. Mosca, N. Mattoso, C.M. Lepiensci, W. Veiga, I. Mazzaro, V.H. Etgens, M. Eddrief. J. Appl. Phys. 91, 140 (2002)
  25. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. Наука, М. (1987). 432 с
  26. O.A. Balitskii, R.V. Lutsiv, V.P. Savchyn, J.M. Stakhira. Mater. Sci. Eng. B 56, 5 (1998)
  27. O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol. 17, L 1 (2002)
  28. V.N. Tondare, B.I. Birajdar, N. Pradeep, D.S. Joag, A. Lobo, S.K. Kulkarni. Appl. Phys. Lett. 77, 15, 2394 (2000)
  29. Z.F. Krasil'nik, P. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchuk. Nanotechnology 13, 1, 81 (2002)
  30. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. ФТП 41, 3, 312 (2007)
  31. C. Arena, B. Kleinsorge, J. Robertson, W.J. Milne, M.E. Welland. J. Appl. Phys. 85, 1609 (1999)
  32. E. Spiecker, S. Hollensteiner, W. Jager, A.K. Schmid, A.M. Minor, U. Dahmen. Abstracts of E-MRS 2005 Spring Meeting. Symp. A: Current trends in nanoscience from materials to application. Strasburg, France (2005). P. A-3/3
  33. Г.А. Малыгин. ФТТ 49, 8, 1392 (2007)
  34. А.И. Дмитриев, В.М. Каминский, Г.В. Лашкарев, П.Е. Буторин, З.Д. Ковалюк, В.И. Иванов, А.И. Бескровный. ФТТ 51, 11, 2207 (2009)
  35. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science 306, 5696 (2004)
  36. O.Yu. Kolesnychenko, R.De Kort, M.I. Katsnelson. Nature 415, 507 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme