Вышедшие номера
К вопросу о природе состояния с волной зарядовой плотности в TiSe2 по данным сканирующей туннельной микроскопии
Титов А.Н.1,2, Кузнецов М.В.3, Разинкин А.С.3
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
3Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: alexander.titov@usu.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии с атомным разрешением выполнено исследование поверхности свежего скола кристаллов TiS2, TiSe2 и TiTe2. Во всех материалах обнаружены характерные треугольные дефекты, совпадающие по форме с теми, что должны возникать в результате вызванного эффектом Яна-Теллера локального изменения координации атома титана халькогеном с октаэдрического на тригонально-призматическое. Сделан вывод о том, что эффект Яна-Теллера присутствует в этих материалах, но ответственен за формирование наномасштабных дефектов, а не за переход в состояние с волной зарядовой плотности. Показано, что такая трактовка дефектов позволяет понять эволюцию границы устойчивости волны зарядовой плотности при донорном и акцепторном легировании. Работа выпонена при поддержке грантов РФФИ N 10-03-96047-р_урал_а и 09-03-00053-а.