Гетерофазный механизм возникновения низкотемпературного пика вещественной части проводимости ВТСП материалов
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.
На основании предположения о гетерофазной структуре образца вблизи точки сверхпроводящего перехода предложен простой механизм появления пика вещественной части проводимости, основанный на идеях теории протекания.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.