Проанализированы экспериментальные данные по сверхпроводящим свойствам полупроводников A^IVB^VI с примесями индия и таллия. Выявлена важная роль дополнительного экстремума валентной зоны полупроводниковых соединений на основе SnTe<In> и РbТе<T1> в возникновении сверхпроводимости с относительно высокой для полупроводников критической температурой T_c~1 K. Показано, что для существования сверхпроводимости с T_c<= 0.4 K в полупроводниках A^IVB^VI наряду с частичным заполнением электронами резонансных состояний необходимо выполнение дополнительного условия - полоса примесных резонансных состояний, пиннингующая уровень Ферми, должна перекрываться по энергии с зонными состояниями дополнительного экстремума с большой плотностью состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.