На основе результатов исследования относительного расположения уровней энергии электронных конфигураций, построенных в рамках ионной модели кристалла, рассмотрена природа особенностей электрических свойств и края оптического поглощения в редкоземельных соединениях и в соединениях 3d переходных металлов. Показано, что эти особенности в основном определяются характером расположения основных уровней p⁶nl^N, p⁵nl^N+1, p⁵nl^Nn'l' и p⁶nl^N-1n'l' конфигураций (nl=3d, 4f; n'l' обозначает менее локализованное, чем nl, состояние электрона катиона, а p⁶, p⁵ - соответственно заполненную или с дыркой электронную оболочку аниона).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.