Представлены результаты исследования структурного совершенства гетероэпитаксиальных слоев GaSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (001) GaAs комплексом дифракционных методов, включающим в себя рентгеновскую трехкристальную дифрактометрию, просвечивающую электронную микроскопию и рентгеновскую топографию. Показано, что на границе GaSb-GaAs формируется сетка дислокаций несоответствия, вытянутых по направлениям типа < 110>, со средним расстоянием 5.5 нм между ними. В основном это чисто краевые дислокации Ломера с векторами Бюргерса типа a/2 <110>, лежащими в плоскости гетерограницы. Сетка дислокаций практически полностью снимает напряжения несоответствия. Установлено, что плотность 60^o дислокаций, образующихся на начальной (островковой) стадии формирования слоя и проникающих в него в ходе роста, резко падает от величин порядка 10¹⁰ до 10⁸ см^-2 в узком (0.2-0.4 мкм толщиной) слое вблизи гетерограницы вследствие аннигиляции дислокаций при их взаимодействии. Показано, что большинство дислокаций в вышележащем слое имеет значительную винтовую компоненту вектора Бюргерса и распределено в целом хаотически, образуя, однако, границы разориентации размерами порядка 1-3 мкм. Следствием этого является уширение рентгеновских дифракционных максимумов как вдоль вектора обратной решетки H, так и перпендикулярно к нему. Результаты работы свидетельствуют о возможности воспроизводимого получения ненапряженных слоев GaSb, пригодных для практического использования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.