Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Переход металл--диэлектрик и нелинейная полевая зависимость проводимости вдоль дислокации в Si
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 15 января 1992 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.
Исследована одномерная проводимость, обусловленная дислокацией в планарном кремниевом n+-p-переходе. Обнаруженный нами переход металл-диэлектрик в проводимости с увеличением температуры объясняется изменением коэффициента заполнения дислокации. Обнаружена нелинейная вольт-амперная характеристика. Зависимость тока I от приложенного электрического поля E хорошо описывается экспоненциальным законом ln I~sqrt(E)sqrt при E<Ec=0.84· 105 В/см; ln I~ E при E>=q Ec. Предложено объяснение найденной нелинейной вольт-амперной зависимости.
- Labusch R. Physica. 1983. V. 117 B \& 118 B. P. 203
- Grazhulis V.A., Kveder V.V., Mukhina V.Yu. Phys. St. Sol. (a). 1977. V. 44. P. 107
- Гражулис В.А., Кведер В.В., Мухина В.Ю., Осипьян Ю.А. Письма в ЖЭТФ. 1976. Т. 24. С. 164--170
- Рзаев С.Г., Абдуллаев А.Г. Изв. АН Азерб. ССР. Сер. ФТМН. 1983. N 2. С. 70--73
- Rebane Yu.T., Shreter Yu.G. Proc. of Int. Conf. on policristallin Semiconductors. Sohwaudbish Hau., 1990
- Hill R.M. Phil. Mag. 1971. V. 23. N 181. 59 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
