Многочастичные примесные комплексы в алмазоподобных полупроводниках
Аверкиев Н.С.1, Родина А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.
Предложена модель двухчастичных акцепторных центров A+1 и A20 и экситонно-примесных комплексов (A10x) в кубических полупроводниках. Исследована мультиплетная структура энергетических уровней и показано, что в таких комплексах частицы находятся в различных орбитальных состояниях, а основным состоянием дырок является пятикратно вырожденный терм, отвечающий полному моменту дырок J=2. Рассмотрено изменение энергетической структуры комплексов в присутствии одноосной деформации.
- Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Мельников А.П. Письма в ЖЭТФ. 1971. Т. 14. N 5. С.281--283
- Burger W., Lassman K. Phys. Rev. 1986. V. 33. N 8. P. 5868--5870
- Junzen E., Linnarsson M., Monemar B., Kleverman M. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1990. V. 163. P. 169--174
- Roos G., Schoner A., Pensl G., Wagner J., Meyer B.K., Newman R.C. J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N 3. P. 1454--1462
- Barnov A.N., Dyshlovenko P.E., Kopylov A.A., Sherstnyev V.V. Sol. St. Comm. 1990. V. 74. N 6. P. 429--432
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979. 416 с
- Бете Г., Солпитер Э. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами. М., 1960. 562 с
- Pan D.S. Sol. St. Comm. 1981. V. 37. P. 375--378
- Гельмонт Б.Л., Родина А.В., Эфрос Ал.Л. ФТП. 1990. Т. 24. N 1. С. 198--201
- Luttinger J.H. Phys. Rev. 1956. V. 102. N 4. P. 1030--1041
- Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. ФТП. 1971. Т. 5. N 11. С. 2191--2193
- Гельмонт Б.Л., Родина А.В. ФТП. 1990. Т. 25. N 12. С. 2189--2195
- Landolt-Borstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. V. 17. Subvol. a. Springer Verlag, 1982
- Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. ФТП. 1973. Т. 7. N 10. С. 2013--2016
- Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М., 1984. 272 с
- Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. Т. 2. М., 1978. 357 с
- Reynolds D.S., Bajaj K.K., Litton C.W., Peters G., Yu P.W., Ficher R., Huang D., Morkos H. J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 7. P.2511--2516
- Balderechi A., Lipari N.O. Phys. Rev. B. 1973. V. 8. N 6. P. 2697--2709
- Elliot K.R., Orbourn G.C., Smith D.L., McGill T.C. Phys. Rev. B. 1978. V. 17. N 5. P. 1808--1820
- Горбунов М.В., Каминский А.С., Сафонов А.Н. ЖЭТФ. 1988. Т. 94. N 2. С.247--259
- Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., 1972. 584 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.