Вышедшие номера
Междолинное рассеяние в полупроводниковых сплавах BiSb
Козлов В.А., Турецкий С.Е.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Теоретически исследуется междолинное рассеяние в материалах типа BiSb как на заряженных, так и на нейтральных примесях. Анализируется относительный вклад междолинного рассеяния в величину времени релаксации в зависимости от величины параметра a, имеющего смысл радиуса нейтрального атома. Показано, что согласие с экспериментом достигается при a, лежащем в пределах от 1 до 2.5 Angstrem.