Исследованы спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaAs, имплантированных ионами Si⁺ с энергией 140 кэВ в диапазоне доз 10¹³-5· 10¹⁴ см^-2, до и после термического отжига. Наблюдаемые в имплантированных образцах изменения параметров LO-компоненты интерпретированы в рамках модели пространственной корреляции фононов. Показано, что имплантированный слой является гетерофазной системой, содержащей как аморфную, так и микрокристаллическую фракции с размером упорядоченных областей порядка 50-100 Angstrem. В имплантированных и отожженых образцах обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, свидетельствующее о восстановлении кристаллической структуры и электрической активации примеси. Из анализа формы линий в приближении Лруде получены дозовые зависимости концентрации свободных носителей приповерхностного слоя n=(0.4/ 1.8)· 10¹⁸ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.